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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本申请涉及具有参与二极管的基极层的双极结晶体管，提供一种用于双极结晶体管的结构和形成用于双极结晶体管的结构的方法。所述结构包括具有第一抬升半导体层的第一端子、具有第二抬升半导体层的第二端子、以及基极层，所述基极层在横向方向上位于所述第一端子的所述第一抬升半导体和所述第二端子的所述第二抬升半导体层间。所述结构还包括调制器，其包括与所述基极层直接接触的半导体层。所述基极层具有第一导电类型，所述半导体层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
主权项：1.一种用于横向双极结晶体管的结构，其特征在于，所述结构包括：第一端子，包括第一抬升半导体层；第二端子，包括第二抬升半导体层；基极层，沿横向方向位于所述第一端子的所述第一抬升半导体层和所述第二端子的所述第二抬升半导体层间，所述基极层具有第一导电类型；以及第一调制器，包括与所述基极层直接接触的半导体层，所述半导体层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有参与二极管的基极层的双极结晶体管
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