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申请/专利权人：华润润安科技(重庆)有限公司;华润微电子控股有限公司
摘要：本申请提供一种半导体结构及芯片。半导体结构包括基底层、位于基底层一侧的电路层及位于基底层背离电路层一侧的金属膜层。所述金属膜层包括至少两个第一金属层及位于相邻两个所述第一金属层之间的第二金属层，所述第一金属层的延展性大于所述第二金属层的延展性。所述金属膜层包括切割区，所述第二金属层至少位于所述切割区。所述芯片包括基底层、位于基底层一侧的电路层及于基底层背离电路层一侧的金属膜层。金属膜层包括至少两个第一金属层及位于相邻两个第一金属层之间的第二金属层，第一金属层的延展性大于第二金属层的延展性；第二金属层在基底层朝向金属膜层的表面所在平面上的正投影至少覆盖第一金属层在所述平面上的正投影的边缘区域。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：基底层；位于所述基底层一侧的电路层；位于所述基底层背离所述电路层一侧的金属膜层；所述金属膜层包括至少两个第一金属层及位于相邻两个所述第一金属层之间的第二金属层，所述第一金属层的延展性大于所述第二金属层的延展性；所述金属膜层包括切割区，所述第二金属层至少位于所述切割区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润润安科技(重庆)有限公司 华润微电子控股有限公司 半导体结构及芯片
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