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申请/专利权人：中航光电科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种激光芯片和激光器，属于半导体激光器技术领域；包括在波导的相对设置的两端面上分别设有高透部和高反部，具有高透部和高反部的波导作为主波导，高透部和高反部连线两侧的至少一侧处还间隔一定距离相邻设置有作为耦合波导的另一波导，以在主波导和耦合波导之间形成供光场能量耦合的区域；耦合波导的长度为偶数倍的光场在主波导和耦合波导之间耦合时最大功率转移的耦合长度。本发明在激光芯片光波单模传输特性的基础上，通过在主波导和耦合波导间形成供光场能量耦合的区域，并通过主波导和耦合波导的光场耦合使耦合波导作为主波导激光腔的一部分来增加激光芯片的增益区，实现激光芯片出光功率的增加。
主权项：1.一种激光芯片，包括波导，所述波导的相对设置的两端面上分别设有高透部和高反部，其特征在于，具有所述高透部和高反部的波导作为主波导（13），所述高透部和高反部连线两侧的至少一侧处还间隔一定距离相邻分开设置有作为耦合波导（14）的另一波导，以在所述主波导（13）和耦合波导（14）之间形成供光场能量耦合的区域；所述耦合波导（14）的长度为偶数倍的光场在主波导（13）和耦合波导（14）之间耦合时最大功率转移的耦合长度；所述耦合长度根据波导的耦合模理论确定，所述耦合长度通过如下公式计算得到： 式中，为所述耦合长度，为所述主波导（13）和耦合波导（14）之间的耦合系数，为所述主波导（13）的相位常数，为所述耦合波导（14）的相位常数。
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百度查询： 中航光电科技股份有限公司 一种激光芯片和激光器
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