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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所;湖南汇思光电科技有限公司
摘要：本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器，其中，方法包括：在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构；将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域，通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一阶段激光器结构，再依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，对应DFB区域的脊型波导上进行侧壁光栅刻蚀；并在DFB区域和IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到有源反馈激光器。通过集成量子点DFB激光器和经过带隙蓝移的量子点IFB区域得到有源反馈激光器，解决了由于量子点增益介质激光器的调制带宽较低，很难满足其在低成本高速直调方面的应用的问题，实现了高速直调量子点激光器的低成本需求。
主权项：1.一种有源反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底进行高温脱氧处理，得到去除表面氧化层的去氧化衬底；在所述去氧化衬底上依次生长缓冲层和所述有源反馈激光器的有源区结构，得到激光器生长结构；将所述激光器生长结构划分为分布式反馈DFB区域和集成反馈IFB区域，通过区域退火技术将所述IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移，得到增加带宽后的第一阶段激光器结构；在所述第一阶段激光器结构的表面依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，得到具有脊形波导和共面N型电极区域的第二阶段激光器结构；在所述第二阶段激光器结构的表面对应所述DFB区域的脊型波导上，进行侧壁光栅刻蚀；并在所述DFB区域和所述IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到第三阶段激光器结构；对所述第三阶段激光器结构的不同区域分别渡保护层和绝缘层，并对所述DFB区域和所述IFB区域的对应位置蒸镀正负电极，得到第四阶段激光器结构；对所述第四阶段激光器结构进行镀膜处理，得到有源反馈激光器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 湖南汇思光电科技有限公司 有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器
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