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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请提供一种曝光方法，包括：提供一衬底，衬底包含依次错落排布的多个条状存储区和多个条状逻辑区；在衬底表面涂覆光刻胶层；利用特定的光罩，对衬底进行第一轮曝光，在光刻胶层上定义第一图形，以依次打开所有存储区；利用该光罩，对衬底进行第二轮曝光，在光刻胶层上定义第二图形，以依次打开所有逻辑区；以形成有第一图形和第二图形的光刻胶层为掩膜，刻蚀衬底。本申请通过利用同一张光罩，分别使用不同的照明条件，对衬底进行两轮曝光、一次显影，以全部打开存储区和逻辑区待刻蚀区域，也就是通过一次光刻工艺，可以同时满足闪存器件的存储区和逻辑区的工艺窗口要求，分别实现了存储区和逻辑区不同结构窗口的提升，降低了生产成本。
主权项：1.一种曝光方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含多个呈条状的存储区和多个呈条状的逻辑区，所述逻辑区和所述存储区依次错落排布；在所述衬底上涂覆一光刻胶层；利用特定的光罩，对所述衬底进行第一轮曝光，在所述光刻胶层上定义第一图形，以依次打开所有的所述存储区中的待刻蚀区域；利用所述光罩，对所述衬底进行第二轮曝光，在所述光刻胶层上定义第二图形，以依次打开所有的所述逻辑区中的待刻蚀区域；以及以形成有所述第一图形和所述第二图形的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 曝光方法
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