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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明涉及一种金属场板LDMOS器件及其制造方法，该方法包括：对衬底材料表面进行预清理，去除自然氧化层；利用光刻、离子注入和刻蚀工艺形成漂移区、栅极、体区和源漏区；沉积SAB阻挡层介质，并刻蚀非SAB区域介质；沉积氧化物和多晶硅并刻蚀，形成类栅结构；完成接触孔制备工艺，形成多重槽式阶梯状金属接触孔场板结构。其有益效果是，在不改变导通电阻的情况下，优化器件表面电场，提高器件耐压和抑制HCI，还有助于避免大块的金属接触孔场板在刻蚀时产生的负载效应以及在金属填充过程中易出现空洞现象。
主权项：1.一种金属场板LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：对衬底材料表面进行预清理，去除自然氧化层；利用光刻、离子注入和刻蚀工艺形成漂移区、栅极、体区和源漏区；沉积SAB阻挡层介质，并刻蚀非SAB区域介质；沉积氧化物和多晶硅并刻蚀，形成类栅结构；完成接触孔制备工艺，形成多重槽式阶梯状金属接触孔场板结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种金属场板LDMOS器件及其制造方法
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