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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括相邻设置在半导体衬底中的第一阱区和第二阱区，在第二阱区中的浅沟槽隔离结构，第一阱区和第二阱区交界处的半导体衬底上设置有栅极结构，第一阱区的源区，第二阱区的漏区，第一阱区和第二阱区的导电类型相反，在第二阱区上的漏极场板结构，栅极结构和漏极场板结构绝缘且间隔设置，漏极场板结构和漏区电连接，漏极场板结构包括从下至上依次设置的第一子场板和第二子场板，第一子场板和第二子场板的导电类型相反，第二子场板和第二阱区的导电类型相同，可通过漏极端的高压在LDMOS器件表面形成更多的可移动电子，从而降低导通电阻，同时通过横向PN结来控制漏极端高压在LDMOS器件的关态击穿电压。
主权项：1.一种LDMOS器件，包括相邻设置在半导体衬底中的第一阱区和第二阱区，在所述第二阱区中设置有浅沟槽隔离结构，所述第一阱区和第二阱区交界处的半导体衬底上设置有栅极结构，所述栅极结构外侧的第一阱区中设置有源区，所述第二阱区中设置有漏区，所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反，其特征在于，在所述第二阱区上设置有漏极场板结构，所述栅极结构和漏极场板结构绝缘且间隔设置，所述漏极场板结构和漏区电连接，其中，所述漏极场板结构包括从下至上依次设置的第一子场板和第二子场板，所述第一子场板和第二子场板的导电类型相反，所述第二子场板和第二阱区的导电类型相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种LDMOS器件及其制备方法
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