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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种LDMOS器件的形成方法，包括：在衬底内依次形成P型体区以及位于P型体区内的N型漂移区，衬底、P型体区和N型漂移区的表面均齐平；形成栅极结构，栅极结构覆盖部分P型体区的表面和部分N型漂移区的表面；在P型体区内形成轻掺杂离子区，轻掺杂离子区位于栅极结构的与N型漂移区相对的一侧；在栅极结构的表面、P型体区的表面和N型漂移区的表面均形成牺牲氧化层；在N型漂移区内形成P型硅，P型硅沿着栅极结构的径向延升；在P型硅内形成若干个间隔的N型硅。本发明改善了靠近硅表面的表面电场，降低了导通电阻，提高了关断击穿电压。
主权项：1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内依次形成P型体区以及位于所述P型体区内的N型漂移区，所述衬底、P型体区和N型漂移区的表面均齐平；形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分P型体区的表面和部分N型漂移区的表面；在所述P型体区内形成轻掺杂离子区，所述轻掺杂离子区位于所述栅极结构的与所述N型漂移区相对的一侧；在所述栅极结构的表面、P型体区的表面和N型漂移区的表面均形成牺牲氧化层；在所述N型漂移区内形成P型硅，所述P型硅沿着所述栅极结构的径向延升；在所述P型硅内形成若干个间隔的N型硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 LDMOS器件的形成方法
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