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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请提供了一种功率器件的制备方法及功率器件，通过侧墙刻蚀工艺，在同一个沟槽的侧壁上保留间隔设置的栅极多晶硅侧墙，通过沟槽侧壁上的栅极多晶硅分别引出栅极，在具体使用制备出的功率器件时，可以选择沟槽侧壁的栅极多晶硅侧墙引出的栅极其中一个栅极开启，形成单边器件，可以极大降低栅源电容，也可以选择沟槽侧壁的多晶硅侧墙引出的栅极都开启，增加沟道密度，形成高电流密度模式，且此在同一个沟槽中形成，器件尺寸也较小，本申请可以形成两种开启工作模式的功率器件，所以本申请解决了现有技术中在功率器件尺寸减小时，无法使降低电容和增加沟道密度二者不相互冲突，无法提高功率器件的性能的问题。
主权项：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在外延层中形成沟槽，所述外延层的上表面设置有掩膜层；在所述沟槽的第一侧壁、第二侧壁和底部上生长第一氧化层；在所述沟槽中沉积栅极多晶硅；对所述栅极多晶硅进行刻蚀，只保留所述沟槽的第一侧壁和第二侧壁上的栅极多晶硅；去除所述掩膜层；在所述沟槽中和所述外延层的上表面沉积第二氧化层；在所述外延层中形成第一掺杂类型的阱区；在所述阱区设置第二掺杂类型的注入区；在所述外延层的上表面的第二氧化层、注入区和阱区中刻蚀的第一接触孔以引出源极；在所述外延层的上表面的第二氧化层和保留在第一侧壁上的栅极多晶硅中刻蚀第二接触孔以引出第一栅极，和在所述外延层的上表面的第二氧化层和保留在第二侧壁上的栅极多晶硅中刻蚀第二接触孔以引出第二栅极；在所述衬底的下表面设置金属层以引出漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种功率器件的制备方法及功率器件
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