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申请/专利权人：燕山大学
摘要：本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
主权项：1.键合态铜单晶的原子级扩散键合工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：将铜单晶棒的表面粗糙度降低到150nm以下，控制扩散焊炉腔内真空度达到10-4Pa以下，提升压力至焊接压力，升温至焊接温度进行扩散键合，保温，冷却，即可得到所述键合态铜单晶；所述焊接压力为6MPa～20MPa，所述保温时间为0.5～2h，所述焊接温度为550～650℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 燕山大学 键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法
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