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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
摘要：提供防止蚀刻时的氧化硅膜部分的形状的劣化且相对于氧化硅膜以高的选择比高精度蚀刻氮化硅膜的方法。蚀刻方法对预先形成在配置于处理室内的晶片上的、氮化硅膜被氧化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的膜构造在对所述处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下进行干式蚀刻，在蚀刻方法中，作为第1工序，在30℃以上且55℃以下使氟化氢气体反应来在氮化硅膜上形成反应层，之后，作为第2工序，在70℃以上且110℃以下，在不流过氟化氢气体的状态下进行加热，使第1工序中形成的所述反应层挥发来进行除去，通过重复多次进行该所述第1以及第2工序，来对所述氮化硅膜从所述端部在横向上进行蚀刻。
主权项：1.一种蚀刻方法，对预先形成在配置于处理室内的晶片上的、氮化硅膜被氧化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的膜构造在对所述处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下进行干式蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于，作为第1工序，在30℃以上且55℃以下使氟化氢气体反应，来在所述氮化硅膜上形成反应层，在所述第1工序之后，作为第2工序，在70℃以上且110℃以下，在不流过所述氟化氢气体的状态下进行加热，使所述第1工序中形成的所述反应层挥发来进行除去，通过重复多次进行所述第1工序以及所述第2工序，来对所述氮化硅膜从所述端部在横向上进行蚀刻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日立高新技术 蚀刻方法
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