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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯北方集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种测试结构及测试方法，测试结构包括：测试主体部，测试主体部包括第一面以及第二面，测试主体部包括具有第一掺杂离子的衬底和贯穿衬底的深槽隔离结构，衬底包括位于深槽隔离结构之间的互连区域；第一互连结构，位于测试主体部的第一面，第一互连结构与深槽隔离结构电连接，第一互连结构用于作为第一测试信号加载端；第二互连结构，分别位于测试主体部的第一面和第二面，且与互连区域的衬底电连接，第二互连结构用于作为第二测试信号加载端，或者，部分第二互连结构用于作为第二测试信号加载端，剩余第二互连结构用于作为第三测试信号加载端，同一互连区域的衬底两侧的第二互连结构为用于加载相同测试信号。能够表征深槽隔离结构的可靠性。
主权项：1.一种测试结构，其特征在于，包括：测试主体部，所述测试主体部包括第一面以及与所述第一面相背离的第二面，所述测试主体部包括具有第一掺杂离子的衬底和用于测试且贯穿所述衬底的深槽隔离结构，所述深槽隔离结构为封闭环形，沿平行于所述衬底的表面方向，所述衬底包括位于所述深槽隔离结构之间的互连区域，所述深槽隔离结构的侧壁与所述互连区域的边界相邻接；第一互连结构，位于所述测试主体部的第一面，所述第一互连结构与所述深槽隔离结构电连接，所述第一互连结构用于作为第一测试信号加载端；第二互连结构，分别位于所述测试主体部的第一面和第二面，且与所述互连区域的所述衬底电连接，所述第二互连结构用于作为第二测试信号加载端，或者，部分所述第二互连结构用于作为第二测试信号加载端，剩余所述第二互连结构用于作为第三测试信号加载端，同一所述互连区域的衬底两侧的所述第二互连结构为用于加载相同测试信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试结构及测试方法
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