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预测曝光图形偏移的方法 

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

摘要:一种预测曝光图形偏移的方法,包括:提供若干训练图形;获取各所述训练图形对应的第一制程信息;根据所述训练图形的所述第一制程信息对各所述训练图形进行实际曝光,获取相应的训练曝光图形;根据所述训练曝光图形的位置和所述训练图形的位置,获取各所述训练图形相应的所述训练曝光图形的偏移向量的实际值;采用若干所述训练曝光图形的偏移向量的实际值和对应的若干所述第一制程信息进行机器学习,获取用于根据制程信息获取偏移向量的偏移预测模型,采用所述偏移预测模型,可以对待测图形对应的曝光图形的偏移误差进行预测。

主权项:1.一种预测曝光图形偏移的方法,其特征在于,包括:提供若干训练图形;获取各所述训练图形对应的第一制程信息;根据所述训练图形的所述第一制程信息对各所述训练图形进行实际曝光,获取相应的训练曝光图形;根据所述训练曝光图形的位置和所述训练图形的位置,获取各所述训练图形相应的所述训练曝光图形的偏移向量的实际值;采用若干所述训练曝光图形的偏移向量的实际值和对应的若干所述第一制程信息进行机器学习,获取用于根据制程信息获取偏移向量的偏移预测模型。

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