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申请/专利权人：湖南德智新材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备SiC涂层的方法。该制备方法通过两次化学气相沉积在基体表面先后沉积SiC内涂层和SiC外涂层两层SiC涂层，并通过调整化学气相沉积工艺中的沉积温度、沉积压力和前驱体流量比调控沉积的SiC晶粒尺寸，使SiC内涂层的晶粒尺寸小，SiC外涂层的晶粒尺寸大，从而使其SiC内涂层与基体结合力更好，SiC外涂层致密性更高、均匀性更好，使SiC内外涂层的晶粒尺寸呈梯度分布，提升SiC涂层的抗氧化烧蚀能力和结合强度，降低SiC涂层开裂和脱落的风险，提高SiC涂层的使用寿命。
主权项：1.一种制备SiC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1对基体进行预处理后放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备进行加热和抽真空，再用惰性气体置换所述化学气相沉积设备中的空气；2将第一硅碳源气体、第一载气和第一稀释气体的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在所述基体表面进行第一次沉积获得SiC内涂层；第一次沉积的工艺参数包括：第一沉积温度为1000℃-1400℃，第一沉积压力为10Kpa-20Kpa，第一沉积时间为1h-8h，所述第一硅碳源气体和所述第一载气的流量比为1:4-8；3将第二硅碳源气体、第二载气和第二稀释气体的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在所述SiC内涂层的表面进行第二次沉积获得SiC外涂层；第二次沉积的工艺参数包括：第二沉积温度为1100℃-1500℃，第二沉积压力为5Kpa-16Kpa，第二沉积时间为1h-5h，所述第二硅碳源气体和所述第二载气的流量比为1:8-10；其中，所述SiC内涂层中SiC晶粒尺寸为0.5μm-2μm；所述SiC外涂层中SiC晶粒尺寸为10μm-50μm。
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