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申请/专利权人：南京大学
摘要：本申请提供一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，属于微波等离子体化学气相沉积领域。本申请提供的MPCVD系统，包括反应室、第一传输管路和控制装置；反应室内部用于设置衬底，反应室设置有进气口，以输送反应剂；第一传输管路的至少部分设置于反应室内，以向衬底表面输送掺杂剂；控制装置包括第一流体控制单元和集成控制单元，第一流体控制单元设置于反应室内并设置在第一传输管路上，集成控制单元用于控制第一流体控制单元，以开启或阻断掺杂剂向衬底表面的输送。通过本申请提供的MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，可以使得金刚石薄膜生长的原位掺杂更可控，掺杂深度更易控制，显著提高了金刚石薄膜外延生长陡峭掺杂与异质界面的陡峭度。
主权项：1.一种MPCVD系统，其特征在于，包括反应室、第一传输管路和控制装置；所述反应室内部用于设置衬底，所述反应室设置有进气口，所述进气口用于向所述反应室内部输送反应剂；所述第一传输管路的至少部分设置于所述反应室内，用于向所述衬底表面输送掺杂剂；所述控制装置包括第一流体控制单元和集成控制单元，所述第一流体控制单元设置于所述反应室内并设置在所述第一传输管路上，所述集成控制单元用于控制所述第一流体控制单元，以开启或阻断掺杂剂向所述衬底表面的输送。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法
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