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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明提供了一种基于阴离子掺杂的有机单晶薄膜及其制备方法和应用，属于有机单晶薄膜技术领域，本申请提出了一种全新的基于F6‑TCNNQ阴离子的掺杂策略，它可以在不破坏分子有序性的情况下有效掺杂有机单晶薄膜OSCF，从而提高OTFT的性能，除此之外，直接掺杂阴离子的引入克服了部分电荷转移的局限性，氧化还原反应完成后的阴离子成功避免了分子掺杂剂聚集对晶体的干扰，因此该方法也具有较好的材料普适性，且阴离子掺杂的概念为提高有机电子器件的电学性能开辟了新的途径。
主权项：1.一种基于阴离子掺杂的有机单晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述有机单晶薄膜由阴离子掺杂半导体溶液通过弯液面涂布法制得；其中，所述阴离子掺杂半导体溶液由BTBT类衍生物材料和聚苯乙烯的混合溶液与含阴离子材料的溶液混合得到。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种基于阴离子掺杂的有机单晶薄膜及其制备方法和应用
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