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一种多稳态结构和电子器件 

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申请/专利权人:深圳清华大学研究院;清华大学

摘要:本申请涉及结构设计领域,公开了一种多稳态结构和电子器件,包括层叠的可相对移动的块体,每个块体上设置有至少两个孔;相邻块体之间的界面处存在范德华力,相邻块体之间呈结构超滑接触;孔包括通孔和或盲孔;块体上的至少一个孔与相邻块体上的孔在开口方向上对齐时,多稳态结构处于稳态。块体上设置有至少两个孔,相邻块体之间界面上存在范德华力且为结构超滑接触状态,当相邻块体相对移动时,一个块体上的至少一个孔与另一个块体上的孔在开口方向上对齐,由于界面范德华力约束,块体可以稳定在该状态,不需要借助外部的物理场或者机构,降低结构复杂度。多稳态结构的行程最大可接近块体长度,相对行程增加。

主权项:1.一种多稳态结构,其特征在于,包括:层叠的可相对移动的块体,每个所述块体上设置有至少两个孔;相邻所述块体之间的界面处存在范德华力,相邻所述块体之间呈结构超滑接触;所述孔包括通孔和或盲孔;所述块体上的至少一个所述孔与相邻所述块体上的所述孔在开口方向上对齐时,所述多稳态结构处于稳态。

全文数据:

权利要求:

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