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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开涉及一种半导体器件，包括：第一衬底；布线部分，在第一衬底上；第二衬底，在布线部分上；第一栅极堆叠结构，在第二衬底上；第二栅极堆叠结构，在第一栅极堆叠结构上；以及沟道结构，穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，并且连接到第二衬底，其中，第二衬底包括第一材料层和设置在第一材料层上的第二材料层，第一材料层包括包含第一材料的多晶硅，第二材料层包括包含与第一材料不同的第二材料的多晶硅，并且绝缘层设置在布线部分和第二衬底之间。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一衬底；布线部分，在所述第一衬底上；第二衬底，在所述布线部分上；第一栅极堆叠结构，在所述第二衬底上；第二栅极堆叠结构，在所述第一栅极堆叠结构上；以及沟道结构，穿过所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构，并且连接到所述第二衬底，其中，所述第二衬底包括第一材料层和位于所述第一材料层上的第二材料层，所述第一材料层包括包含第一材料的多晶硅，所述第二材料层包括包含与所述第一材料不同的第二材料的多晶硅，并且绝缘层设置在所述布线部分和所述第二衬底之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
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