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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本发明公开了一种半导体器件、其制作方法及电子器件，包括衬底和漂移层，漂移层背离衬底的一侧表面设置有主结和场限环结构，任意相邻两个场限环结构在第一方向上具有间隙，沿着远离主结的方向，各相邻场限环结构之间的间隙逐渐增加。如此，掺杂区的深度可以随着与主结距离的增加越来越浅，能够将主结处的压降分配给各场限环结构，从而降低主结处的压降，降低主结处的电场应力，提高半导体器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、以及设于所述衬底之上的漂移层，所述漂移层背离所述衬底的一侧表面设置有：主结区和终端结构区，所述终端结构区包括结终端扩展结构；所述主结区设置有凸台，所述主结区中的主结设于所述凸台内；所述终端结构区的表面为斜面，且沿着第一方向，所述斜面与所述衬底之间的间距逐渐增加；所述第一方向为：平行于所述衬底表面且远离所述主结区的方向；沿着所述第一方向，所述结终端扩展结构靠近所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的间距逐渐增加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 一种半导体器件、其制作方法及电子器件
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