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集成电路器件及制造其的方法 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:一种集成电路器件包括:衬底,所述衬底具有多个有源区;位线,所述位线在所述衬底上沿水平方向延伸;绝缘盖图案,所述绝缘盖图案形成在所述位线上并且沿着所述位线延伸;直接接触,所述直接接触设置在形成于所述衬底上的直接接触孔中,并且连接在从所述多个有源区当中选择的第一有源区与所述位线之间;以及间隔物结构,所述间隔物结构接触所述直接接触的侧壁和所述位线的侧壁。所述间隔物结构包括:第一间隔物层,所述第一间隔物层在所述直接接触的所述侧壁和所述位线的所述侧壁上沿垂直方向延伸;以及第二间隔物层,所述第二间隔物层覆盖所述第一间隔物层的至少一部分并且沿所述垂直方向延伸。

主权项:1.一种集成电路器件,所述集成电路器件包括:衬底,所述衬底具有多个有源区;位线,所述位线在所述衬底上沿第一水平方向延伸;绝缘盖图案,所述绝缘盖图案形成在所述位线上并且沿着所述位线延伸;直接接触,所述直接接触设置在形成于所述衬底上的直接接触孔中,并且连接在从所述多个有源区当中选择的第一有源区与所述位线之间;以及间隔物结构,所述间隔物结构接触所述直接接触的侧壁和所述位线的侧壁,其中,所述间隔物结构包括:第一间隔物层,所述第一间隔物层在所述直接接触的所述侧壁和所述位线的所述侧壁上沿垂直方向延伸;以及第二间隔物层,所述第二间隔物层覆盖所述第一间隔物层的至少一部分并且沿所述垂直方向延伸。

全文数据:

权利要求:

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