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等离子体处理方法和等离子体处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:提供一种在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括工序a,在该工序a中,在向等离子体处理装置的腔室内供给气体的状态下,向基板支承部的下部电极施加电压。基板支承部被设置在腔室内。等离子体处理方法还包括工序b,在该工序b中,在工序a中开始向下部电极施加电压之后,通过供给高频来生成等离子体。在基板支承部的基板支承面上未载置物体的状态下进行工序a和工序b。

主权项:1.一种等离子体处理方法,是在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法,所述等离子体处理方法包括:工序a,在向等离子体处理装置的腔室内供给气体的状态下,向基板支承部的下部电极施加电压,在该工序a中,所述基板支承部被设置在所述腔室内;以及工序b,在所述工序a中开始向所述下部电极施加所述电压之后,通过供给高频来生成等离子体,其中,在所述基板支承部的基板支承面上未载置物体的状态下进行所述工序a和所述工序b。

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权利要求:

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