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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院

摘要：本申请公开了一种存储器及访问方法、电子设备，涉及半导体技术领域。存储器包括：包括沿垂直衬底方向堆叠的多个存储单元层，以及与所述存储单元层中各存储单元对应连接的多个字线和多个位线；其中，所述字线沿平行衬底的第一方向延伸，一个所述字线连接所述存储单元层中的一行所述存储单元；所述位线沿垂直所述衬底的方向延伸，一个所述位线连接不同所述存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元；字线选择电路，与沿平行衬底的第一方向延伸的各所述字线分别连接，被配置为：响应于访问请求提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线。电路结构简单，成本低。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括沿垂直衬底方向堆叠的多个存储单元层，以及与所述存储单元层中各存储单元对应连接的多个字线和多个位线；其中，所述字线沿平行衬底的第一方向延伸，一个所述字线连接所述存储单元层中的一行所述存储单元；所述位线沿垂直所述衬底的方向延伸，一个所述位线连接不同所述存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元；字线选择电路，与各所述字线分别连接，被配置为：响应于访问请求提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线；所述字线选择电路包括：层选择电路，包括多个字线层选择线；所述字线层选择线与所述存储单元层对应设置，被配置为：响应于所述访问请求，向对应所述存储单元层连接的各所述字线提供所述层选择信号；行选通电路，包括多个第一行选通电路；所述行选通信号包括第一字线行选通信号；所述第一行选通电路与沿垂直衬底方向排布呈列且用于连接不同所述存储单元层中对应存储单元的一列所述字线对应设置，被配置为：响应于所述访问请求，向对应列的各所述字线提供所述第一字线行选通信号；所述字线层选择线沿平行衬底的第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述第一行选通电路包括：字线行选择线，以及沿垂直衬底方向排布呈列且与一列所述字线一一对应设置的多个第一选择晶体管；其中，所述字线行选择线沿垂直衬底的方向延伸，并与一列所述第一选择晶体管的栅极连接；所述第一选择晶体管位于对应所述字线的第一端，所述第一选择晶体管的第一源漏极连接所述第一端，所述第一选择晶体管的第二源漏极连接对应的所述字线层选择线。

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权利要求：

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