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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种互连结构及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。互连结构的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、介质层和位于介质层内的第一导电结构和第二导电结构；在第一导电结构和第二导电结构上方的介质层上形成第一凹槽；在第一凹槽底部形成第一通孔和第二通孔，并对应使得第一导电结构和第二导电结构的顶部被暴露；在第一凹槽内形成绝缘隔离体；在绝缘隔离体两侧形成当层导电结构，以使绝缘隔离体两侧的当层导电结构被绝缘隔离体绝缘隔离，且分别与第一导电结构和第二导电结构导电互连。本发明能够用于改善现有工艺在第一导电结构和第二导电结构上部形成导电结构时难以在互连结构之间置入小尺寸切口的技术问题。
主权项：1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层，及位于所述介质层内的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构绝缘隔离；在所述第一导电结构和所述第二导电结构上方的所述介质层上形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部形成第一通孔和第二通孔，使得所述第一导电结构的顶部被所述第一通孔暴露以及所述第二导电结构的顶部被所述第二通孔暴露；在所述第一凹槽内形成绝缘隔离体，以将所述第一通孔和所述第二通孔绝缘隔离；在所述绝缘隔离体两侧的所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽内形成当层导电结构；其中，位于所述绝缘隔离体两侧的所述当层导电结构被所述绝缘隔离体绝缘隔离，且分别与所述第一导电结构和所述第二导电结构导电互连。
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权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 互连结构及其形成方法
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