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申请/专利权人：上海大学
摘要：本公开提供一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法，包括：确定稳态近似状态的原子能级的速率方程；确定Z箍缩聚变中氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型；根据氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型和稳态近似状态的原子能级的速率方程，确定氙等离子体的速率平衡方程；确定相邻能级的布居密度比；根据相邻能级的布居密度比，确定简化的氙等离子体的速率平衡方程；确定谱线强度比值；根据简化的氙等离子体的速率平衡方程、谱线强度比值以及预设的Boltzmann方程，确定氙等离子体电子温度。通过本公开，采用相对光强线比法简便的计算Z箍缩条件下氙等离子体的电子温度，减少数据处理量，并提高数据准确率。
主权项：1.一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法，其特征在于，包括：采用预设的稳态近似状态的辐射碰撞模型，确定稳态近似状态的所述原子能级的速率方程；确定Z箍缩聚变中氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型；根据所述氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型和所述稳态近似状态的所述原子能级的速率方程，确定所述氙等离子体的速率平衡方程；对所述氙等离子体的速率平衡方程进行变形处理，确定相邻能级的布居密度比；根据所述相邻能级的布居密度比，对所述氙等离子体的速率平衡方程进行简化处理，确定简化的所述氙等离子体的速率平衡方程；基于所述Z箍缩聚变，确定谱线强度比值；根据所述简化的所述氙等离子体的速率平衡方程、所述谱线强度比值以及预设的Boltzmann方程，确定氙等离子体电子温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法
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