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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明提供一种等离子体清洗方法，用于去除半导体工艺设备的工艺腔室中的副产物，包括第一清洗步骤，去除所述工艺腔室的上部区域中的所述金属副产物；第二清洗步骤，去除所述工艺腔室的上部区域中的所述有机副产物；第三清洗步骤，去除所述工艺腔室的下部区域中的所述有机副产物；第四清洗步骤，去除所述工艺腔室的下部区域中的所述金属副产物。本发明提供的等离子体清洗方法，其可以对工艺腔室的整个区域进行全面清洗，有效改善清洗效果，而且还可以延长MTBC，提高设备利用率。
主权项：1.一种等离子体清洗方法，用于去除工艺腔室中的金属副产物和有机副产物，其特征在于，包括，第一清洗步骤，控制所述工艺腔室的压力不低于第一预设腔压，通入与所述金属副产物反应的第一工艺气体，电离所述第一工艺气体去除所述工艺腔室的上部区域中的所述金属副产物；第二清洗步骤，控制所述工艺腔室的压力不低于第二预设腔压，通入与所述有机副产物反应的第二工艺气体，电离所述第二工艺气体去除所述工艺腔室的上部区域中的所述有机副产物；第三清洗步骤，控制所述工艺腔室的压力不高于第三预设腔压，通入与所述有机副产物反应的第三工艺气体，电离所述第三工艺气体去除所述工艺腔室的下部区域中的所述有机副产物；第四清洗步骤，控制所述工艺腔室的压力不高于第四预设腔压，通入与所述金属副产物反应的第四工艺气体，电离所述第四工艺气体去除所述工艺腔室的下部区域中的所述金属副产物；其中，所述第一预设腔压和所述第二预设腔压均大于或者等于第一阈值，所述第三预设腔压和所述第四预设腔压均小于或者等于第二阈值，所述第一阈值大于所述第二阈值。
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权利要求：
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