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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种等离子体限制系统、等离子体处理装置及刻蚀方法。所述等离子体限制系统用于等离子体处理装置，包括：等离子体限制环，其配置有抽气通道，所述抽气通道的一端连通刻蚀区域，另一端连通排气区域；阻抗匹配元件，所述等离子体限制环能够通过所述阻抗匹配元件接地。本发明能够根据制程需要使等离子体限制环具有适配的对地电容，提高大射频功率时的等离子体约束性能。
主权项：1.一种等离子体限制系统，用于等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体限制环，其配置有抽气通道，所述抽气通道的一端连通刻蚀区域，另一端连通排气区域；阻抗匹配元件，所述等离子体限制环能够通过所述阻抗匹配元件接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体限制系统、等离子体处理装置及刻蚀方法
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