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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
主权项：1.一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，其特征在于，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器
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