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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明属于半导体加工技术领域。本发明提供了一种SiC衬底的抛光方法、抛光的SiC衬底及复合衬底，所述抛光方法以硬质抛光垫上设置氧化剂固结层作为抛光实施面，配合不含氧化剂的抛光液进行化学机械抛光。硬质抛光垫耐磨耐腐蚀，具有更长的使用寿命，可大幅改善抛光后均匀性和缺陷问题，且能提供更高的抛光速率。不含氧化剂的抛光液可防止磨料长时间浸泡在氧化剂环境中的泡发形变而影响抛光液寿命及抛光效果的问题。将氧化剂固结成层而使氧化剂均匀分布在整个硬质抛光垫上，可有效增大抛光过程中抛光头的摆动范围，最终可得到均匀性1％的抛光效果。且所述抛光方法可实现Si面80μmh及C面120μmh的最高抛光速率。
主权项：1.一种SiC衬底的抛光方法，其特征在于，包括：提供具有氧化剂固结层的硬质抛光垫，以及不含氧化剂的抛光液；在所述硬质抛光垫的氧化剂固结层上，配合使用所述抛光液对待抛光的SiC进行化学机械抛光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种SiC衬底的抛光方法、抛光的SiC衬底及复合衬底
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