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申请/专利权人：上海超致半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件。该金属‑氧化物半导体场效应晶体管包括：衬底；外延层；外延层远离衬底的一侧设置有漂移区、阱区和第一有源区，第一有源区的导电类型和阱区的导电类型相反；镇流电阻区，镇流电阻区位于阱区远离漂移区的一侧；镇流电阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区，低阻区位于阱区远离漂移区的一侧；低阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区的掺杂浓度大于镇流电阻区的掺杂浓度，低阻区的掺杂浓度小于第一有源区的掺杂浓度；镇流电阻区和低阻区位于第一有源区的同一侧。本发明实施例提供的技术方案提升了器件承载瞬态大电流的能力以及短路特性。

主权项：1.一种金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧；所述外延层远离所述衬底的一侧设置有漂移区、阱区和有源区；所述阱区位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，所述有源区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧，所述有源区至少包括第一有源区，所述第一有源区的导电类型和所述阱区的导电类型相反；镇流电阻区，所述镇流电阻区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧；所述镇流电阻区的导电类型和所述第一有源区的导电类型相同；低阻区，所述低阻区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧；所述低阻区的导电类型和所述第一有源区的导电类型相同；所述低阻区的掺杂浓度大于镇流电阻区的掺杂浓度，所述低阻区的掺杂浓度小于所述第一有源区的掺杂浓度；所述镇流电阻区和所述低阻区位于所述第一有源区的同一侧；正向导通且非短路工况下，源漏电流流经所述第一有源区、所述低阻区到达所述阱区的反型沟道；短路工况下，源漏电流从所述第一有源区流经所述镇流电阻区和所述低阻区到达所述阱区的反型沟道；所述镇流电阻区和所述低阻区位于所述第一有源区和所述阱区的反型沟道之间；栅极结构，所述栅极结构位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述栅极结构包括第一介质层、多晶硅栅极以及第二介质层，所述第一介质层位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述多晶硅栅极位于所述第一介质层远离所述外延层的一侧，所述第二介质层位于所述多晶硅栅极远离所述外延层的一侧；源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底的一侧；漏极，所述漏极位于所述衬底远离所述外延层的一侧。

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