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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2021-12-14
公开（公告）日：2022-04-08
公开（公告）号：CN114300454A
主分类号：H01L27/11(20060101)
分类号：H01L27/11(20060101)
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开
摘要：本发明实施例公开了一种HKMG（HighkMetalGate）金属栅的构造方法及相关的SRAM器件；相关方法能有效阻挡HKMG金属栅中金属的扩散，改善SRAM的PPU管阈值电压Vt的中心与边缘差异和PPU的全局工艺偏差GV（GlobalVariation）；通过回刻等工艺，降低阻挡层金属薄膜对NMOS器件的影响；进而改善了HKMGSRAM器件的均匀性。
主权项：1.一种HKMG器件金属栅的构造方法，其特征在于，包括：构造第一工艺槽（100、110、120）和第二工艺槽（200、210、220）；其中，所述第一工艺槽（100、110、120）用于构造第一金属栅或第一金属栅组，所述第二工艺槽（200、210、220）用于构造第二金属栅或第二金属栅组；构造第一基底层（106、116、126）于所述第一工艺槽（100、110、120）之上，构造第二基底层（206、216、226）于第二工艺槽（200、210、220）之上；所述第一基底层（106、116、126）的厚度与所述第二基底层（206、216、226）的厚度不小于预设值；构造第一功能函数层（104、114、124）于所述第一基底层（106、116、126）之上，构造第二功能函数层（205、215、225）于所述第二基底层（206、216、226）之上；构造第一金属栅（101、111、121）于所述第一功能函数层（104、114、124）上，并填充所述第一工艺槽（100、110、120），构造第二金属栅（201、211、221）于所述第二功能函数层（205、215、225）上，并填充所述第二工艺槽（200、210、220）；其中：在所述第一功能函数层（114、124）和所述第一金属栅（111、121）之间还构造有第一阻挡层（113、123）和第二阻挡层（112）；所述第二阻挡层（112）构造于所述第一阻挡层（113）之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种HKMG器件金属栅的构造方法及SRAM器件
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