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申请/专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要：磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
主权项：1.磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，所需装入坩埚的物料包括磷化铟多晶料、籽晶、掺杂剂、液封剂和红磷，其特征在于：装入物料，由下至上依次为籽晶堵头、籽晶、第一弓形料、第一圆形料、第一多晶料块、第二多晶料块、第三多晶料块、第四多晶料块，第一至四多晶料块由圆形料和弓形料组成，第四多晶料中圆形料顶部开三个圆柱形孔；三个孔呈等边三角形均匀分布，用于放置掺杂剂；所述的掺杂剂的种类根据晶体所需导电类型确定，具体列于下表： N型 半绝缘型 P型 掺杂剂种类 S Fe Zn 掺杂剂用量占比 0.015-0.025% 0.025-0.03% 0.005%-0.01% 所述液封剂用量为装料量的1-2%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 云南鑫耀半导体材料有限公司 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法
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