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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分离状态。通过多温区加热，将铟与磷加热至不同的温度，易挥发元素磷升华后与金属元素铟化合。合成完毕后降低坩埚转速，合成熔体处于水平状态，置入氧化硼实现晶体生长。使用本发明提出的装置和方法，磷元素的注入装置没有加热器，简化了合成设备；合成期间，铟溶体与磷气体的接触面积大，合成速度快；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
主权项：1.一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置，所述装置包括炉体（22）、炉体（22）内的坩埚（1）、坩埚（1）外围的多段加热器（2）、保温套（3）、坩埚支撑（4）、主支撑（11），其特征在于，所述装置还包括连接主支撑（11）的离心电机（14），离心电机（14）带动主支撑（11）、坩埚支撑（4）、坩埚（1）旋转；所述坩埚（1）顶端设置坩埚盖（1-1）、坩埚盖（1-1）的上部有密封槽（1-2）；所述装置还包括与密封槽（1-2）配套的密封盖（18），密封盖（18）通过辅助杆I（15）与炉体（22）外部的密封盖驱动装置连接；所述密封盖（18）下面连接易挥发元素装料器（16），所述易挥发元素装料器（16）设置透气孔（16-1），密封盖（18）在驱动装置的作用下，将易挥发元素装料器（16）伸入和移出坩埚（1）；所述装置还包括设置在炉体（22）内部的辅料器（17-1），所述辅料器（17-1）经辅助杆II（17）连接炉体（22）外部的辅料器驱动装置；所述透气孔（16-1）设置在易挥发元素装料器（16）的四周；所述坩埚（1）分为主坩埚（1-3）、辅助坩埚（1-4）和籽晶槽（1-5），直径依次缩小。
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