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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日：2023-11-08
公开（公告）日：2024-02-20
公开（公告）号：CN117568936A
主分类号：C30B29/68
分类号：C30B29/68;H10N30/85;H10N30/093;C30B29/38;C30B25/00;C30B33/02;C23C16/34;C23C16/56
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种AlN‑ScN超晶格材料及其制备方法。本发明的制备方法，通过控制AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数，结合提供范德华相互作用的二维材料插入层以及高温退火，得到AlN‑ScN超晶格材料。对AlN‑ScN超晶格结构的不同晶相进行势能面扫描，确定不同AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数条件下的最稳定晶相；进行AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数控制的AlN‑ScN超晶格结构生长；本发明可以实现大范围AlSc组分比的可控晶相AlN‑ScN材料，并且可以实现一种新的纤锌矿‑岩盐矿混合结构AlN‑ScN材料。
主权项：1.一种AlN-ScN超晶格材料，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面依次交替设有AlN层、ScN层；其中，所述AlN层包括多个依次叠加的AlN薄膜层，所述ScN层包括多个依次叠加的ScN薄膜层；所述AlN薄膜层的叠加次数为1～3次；所述ScN薄膜层的叠加次数为1～3次。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种AlN-ScN超晶格材料及其制备方法
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