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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
申请日：2022-05-07
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN114719464B
主分类号：F25B23/00
分类号：F25B23/00;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/58;B08B3/12;F26B3/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.07#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开
摘要：一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法。本发明的目的是要解决目前很多微结构辐射制冷器件研究还多数处于模拟阶段，冷却功率低，不具有应用性的问题。方法：一、清洗基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构；三、刻蚀；四、在石英基底没有微结构的一面蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。本发明使用原料主要为石英、银；原料丰富易得，并且制备的材料光谱调控范围广，制冷效果明显且具有彩色特性；这些都有益于所设计的辐射制冷器件的推广应用。本发明可获得一种虹彩色辐射制冷器件。
主权项：1.一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，其特征在于一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法是按以下步骤完成的：一、清洗基底：对石英基底进行超声清洗，取出后干燥，得到清洗后的石英基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构：①、将清洗后的石英基底转移至真空蒸镀设备中，以银为蒸发原料，在石英基底上蒸镀一层银膜，得到蒸镀银膜的石英基底；②、将蒸镀银膜的石英基底转移至管式炉中，将管式炉升温至300～800℃，再在300～800℃下退火处理，得到表面构筑有银微球自组装的单层掩膜结构的石英基底；三、刻蚀：将表面构筑有银微球自组装的单层掩膜结构的石英基底放入刻蚀机腔体内，在真空条件下，将CHF3和Ar充入到刻蚀机腔体内，在ICP射频功率RF1为50～150W、ICP射频功率RF2为50～150W和刻蚀压强为50～150mtorr的条件下刻蚀，得到刻蚀后的石英基底；四、对刻蚀后的基底进行洗涤，干燥，得到具有微结构的石英基底；将具有微结构的石英基底移入真空蒸镀设备中，使石英基底没有微结构的一面正对蒸镀钨舟，以银为蒸发原料，在石英基底没有微结构的一面上蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法
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