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申请/专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日：2021-11-22
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN114265796B
主分类号：G06F13/16
分类号：G06F13/16
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.14#授权;2022.04.19#实质审查的生效;2022.04.01#公开
摘要：本发明公开了一种RAM的读写控制方法，其包括如下步骤：a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块，获取输入数据的位宽信息；b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比；c.产生RAM写使能信号与写地址信息，根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内；d.产生RAM读使能信号与读地址信息，根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。本发明的RAM的读写控制方法减少了开发人员的重复性工作，且可适用于同一个项目中不同的模块以及不同的项目模块，提高了通用性。
主权项：1.一种RAM的读写控制方法，其特征在于，设定RAM的位宽为K，输入数据的位宽为A，输出数据的位宽为B，输入数据的位宽比为k1，输出数据的位宽比为k2，则满足：k1*A＝K＝k2*B,其中k1与k2为自然数，所述RAM的读写控制方法包括如下步骤：a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块，获取输入数据的位宽信息；b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比；c.产生RAM写使能信号与写地址信息，根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内，且计数器计数K1次，在输入所述输入模块的信号有效时，每计数一次输入数据赋值给RAM，且每次赋值给RAM的位数为A；d.产生RAM读使能信号与读地址信息，根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川和芯微电子股份有限公司 RAM的读写控制方法
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