申请/专利权人:ASML荷兰有限公司
申请日:2019-07-01
公开(公告)日:2024-05-24
公开(公告)号:CN112513742B
主分类号:G03F7/20
分类号:G03F7/20
优先权:["20180801 EP 18186825.8","20181011 EP 18199813.9"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.05.24#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开
摘要:披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法,所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构,所述方法包括:确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场;确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场;和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉,以获得按计算方式确定的干涉电场。
主权项:1.一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法,所述一对结构包括位于衬底上的第一光栅结构和第二光栅结构,所述方法包括:确定与由所述第一光栅结构散射的第一辐射相关的第一电场;确定与由所述第二光栅结构散射的第二辐射相关的第二电场;和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉,以获得按计算方式确定的干涉电场。
全文数据:
权利要求:
百度查询: ASML荷兰有限公司 用于确定在衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法
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