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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248558A
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56
优先权：["20221222 US 18/087,377"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：公开了一种形成一个或更多个半导体封装件的方法，该方法包括：在金属带上安装一个或更多个半导体管芯，使得一个或更多个半导体管芯处于倒装芯片布置，由此一个或更多个半导体管芯的端子面对金属带的上表面，在金属带的上表面上形成封装一个或更多个半导体管芯的电绝缘封装材料，以及形成与一个或更多个半导体管芯的端子电连接的封装端子，其中，封装端子由金属带形成或由在移除金属带之后沉积的金属形成。
主权项：1.一种形成一个或更多个半导体封装件的方法，所述方法包括：提供金属带；在所述金属带上安装一个或更多个半导体管芯，使得所述一个或更多个半导体管芯处于倒装芯片布置，由此所述一个或更多个半导体管芯的端子面对所述金属带的上表面；在所述金属带的上表面上形成封装所述一个或更多个半导体管芯的电绝缘封装材料；以及形成与所述一个或更多个半导体管芯的端子电连接的封装端子，其中，所述封装端子由所述金属带形成或由去除所述金属带后沉积的金属形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 形成一个或更多个半导体封装件的方法
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