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申请/专利权人：江苏帝奥微电子股份有限公司
申请日：2024-04-19
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118102723A
主分类号：H10B41/40
分类号：H10B41/40;H10B41/30;H10B41/42
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺，包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容、浮栅MOS管和浮栅多晶硅齐纳管。本发明采用两个隧穿电容可以将进行擦除操作的浮栅多晶硅阱电容和进行写入操作的浮栅多晶硅阱电容分开，可以实现隧穿电容的擦写次数提升至现有技术的2倍以上。另外，本发明集成了多晶硅稳压二极管，在擦写的高压施加时，浮栅的保护稳压二极管会实现瞬态的钳位，降低浮栅MOS管的浮栅与源漏之间的压降，从而减少了擦写时高压对浮栅MOS栅氧化层的应力冲击，提升了可靠性。
主权项：1.一种EEPROM单元，其特征在于：包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容和浮栅MOS管，浮栅控制电容的一端为CG端口，浮栅控制电容的另一端与浮栅擦除隧穿电容的一端、浮栅写入隧穿电容的一端和浮栅MOS管的栅极连接，浮栅擦除隧穿电容的另一端为EG端口，浮栅写入隧穿电容的另一端为PG端口，浮栅MOS管的源极连接电源VDD，浮栅MOS管的漏极为Read端口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏帝奥微电子股份有限公司 一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺
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