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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2024-01-25
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN117632043B
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06;G06F1/3234;G06F13/16
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.28#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开
摘要：一种CXL内存模组、控制芯片、数据处理方法、介质和系统，涉及数据访问技术领域，其中，CXL内存模组包括控制芯片以及控制芯片管理的至少一组DRAM芯片，控制芯片设置有缓存，控制芯片被配置为从DRAM芯片读取数据并加载到缓存中，记录数据的DRAM地址和缓存地址的映射关系；接收到主机发送的数据访问指令时，优先对缓存中的数据进行访问当主机的多个CPU核同时对一块地址进行访问时，只需将数据从DRAM芯片读入缓存，再对缓存中的数据进行访问，可以避免DRAM芯片内部的重复读写，降低了CXL内存模组的耗电量。
主权项：1.一种CXL内存模组，包括控制芯片以及所述控制芯片管理的至少一组DRAM芯片，其特征在于，所述DRAM芯片包括多个DRAM页；所述控制芯片设置有缓存，所述缓存包括多个缓存页；所述控制芯片被配置为：从所述DRAM芯片读取数据并加载到所述缓存中，记录数据的DRAM地址和缓存地址的映射关系；接收到主机发送的数据访问指令时，优先对所述缓存中的数据进行访问，所述数据访问指令携带有第一DRAM地址；其中，所述控制芯片从所述DRAM芯片读取数据并加载到所述缓存中，包括：从所述DRAM芯片读取一个DRAM页的全部数据并加载到所述缓存的一个缓存页；所述控制芯片从所述DRAM芯片读取数据并加载到所述缓存中，记录数据的DRAM地址和缓存地址的映射关系，包括：响应于所述数据访问指令，在所述映射关系中查找所述第一DRAM地址；若所述映射关系中不存在所述第一DRAM地址，确定预设时间段内针对所述第一DRAM地址的访问次数是否大于预设的次数阈值；若所述访问次数大于所述次数阈值，从所述DRAM芯片中读取所述第一DRAM地址指向的DRAM页中的全部数据并加载至所述缓存的缓存页中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 CXL内存模组、控制芯片、数据处理方法、介质和系统
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