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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156275A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：一种像素单元、光探测器及其形成方法和读出方法，所述像素单元包括：基底，基底包括衬底、感光元件和暂存点；位于衬底的第二面内的外溢掺杂区；与外溢掺杂区电连接的外溢互连结构。外溢掺杂区和暂存点之间能够形成“垂直溢漏”结构，从而使存储在暂存点的电荷以一定速率经外溢互连结构留出，从而能够在不改变曝光时间、影响电路功耗的同时，有效降低暂存点过饱和的几率，能够有效改善背景噪声问题；而且暂存点和外溢掺杂区分别位于衬底的第一面和第二面内，因此外溢掺杂区的设置并不会影响像素单元的面积，无需牺牲光探测器的分辨率。
主权项：1.一种用于光探测器的像素单元，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底，所述衬底具有相背设置的第一面和第二面；感光元件，所述感光元件位于所述衬底的第一面内；暂存点，所述暂存点位于所述衬底的第一面内，所述暂存点与所述感光元件之间具有间隔；外溢掺杂区，所述外溢掺杂区位于所述衬底的第二面内，所述外溢掺杂区的位置与所述暂存点的位置相对应，且所述外溢掺杂区的掺杂类型与所述暂存点的掺杂区的掺杂类型相同；外溢互连结构，所述外溢互连结构位于所述外溢掺杂区上，所述外溢互连结构与所述外溢掺杂区电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 像素单元、光探测器及其形成方法和读出方法
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