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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
申请日：2022-10-12
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159912A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：["20211027 US 63/272,472"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：一种减少光刻工艺中加热和或冷却掩模版的影响的方法，包括调节掩模版以将掩模版的初始温度调节至预定温度、减小掩模版中的应力以减少寄生热效应、通过将掩模版和非生产衬底曝光于一定剂量的辐射来校准掩模版加热模型，以及通过将掩模版和生产衬底曝光于一定剂量的辐射来基于掩模版加热模型处理生产衬底。该方法可以提高掩模版加热模型的校准准确度和速度，减少掩模版的调节时间，减少掩模版中的应力，避免生产衬底的返工，并提高生产量、产率和准确度。
主权项：1.一种方法，包括：调节掩模版以将所述掩模版的初始温度调节至预定温度；减小所述掩模版中的应力以减少寄生热效应；以及通过将所述掩模版和非生产衬底曝光于一定剂量的辐射来校准掩模版加热模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于校准掩模版热效应的方法和系统
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