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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法，其中掩膜版图形包括：第一图形区，所述第一图形区包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；分别位于所述第一图形区两侧的第一切割图形区和第二切割图形区，所述第一切割图形区、第一图形区和第二切割图形区沿第二方向排列，且所述第一方向和第二方向垂直；位于所述第一切割图形区内的第一辅助图形，且所述第一辅助图形与若干所述第一目标图形邻接；位于所述第二切割图形区内的第二辅助图形，且所述第二辅助图形与若干所述第一目标图形邻接。所述掩膜版图形有利于提高光刻图案尺寸的均一性。
主权项：1.一种掩膜版图形，其特征在于，包括：第一图形区，所述第一图形区包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；分别位于所述第一图形区两侧的第一切割图形区和第二切割图形区，所述第一切割图形区、第一图形区和第二切割图形区沿第二方向排列，且所述第一方向和第二方向垂直；位于所述第一切割图形区内的第一辅助图形，且所述第一辅助图形与若干所述第一目标图形邻接；位于所述第二切割图形区内的第二辅助图形，且所述第二辅助图形与若干所述第一目标图形邻接；所述第一辅助图形包括：沿第二方向延伸的若干相互分立的第一辅助部，且每个所述第一辅助部与一个所述第一目标图形邻接；所述第二辅助图形包括若干第五辅助部和若干第六辅助部，若干所述第五辅助部沿第二方向延伸，若干所述第六辅助部沿第二方向延伸，一个所述第五辅助部与一个所述第一目标图形邻接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法
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