申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2018-12-11

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN110197833B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20180227 KR 10-2018-0023655"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2019.09.03#公开

摘要：提供了一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底包括第一表面和面对第一表面的光入射第二表面；第一半导体光电转换元件，在衬底内部；有机光电转换元件，位于衬底的第二表面上；第一浮置扩散区域，位于衬底的第一表面上；第一转移晶体管，第一转移晶体管的第一端连接到第一半导体光电转换元件，第一转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，第二转移晶体管的第一端具有连接到有机光电转换元件，第二转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域。第一半导体光电转换元件、第一浮置扩散区域以及第一转移晶体管和第二转移晶体管可位于衬底的第一像素区域中。

主权项：1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第二转移晶体管的源极区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸的方向，并且其中，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，并且所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。

全文数据：图像传感器相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0023655的权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。技术领域本发明构思涉及图像传感器。背景技术图像传感器可包括被配置为将光信息转换成电信号的半导体器件的元件。这种图像传感器可包括CCD电荷耦合器件图像传感器和CMOS互补金属氧化物半导体图像传感器。随着半导体器件的集成度更高，图像传感器也被高度地集成。发明内容一些示例实施例提供一种至少一个像素区域形成一个单元像素区域并且至少一个像素区域共享像素晶体管的共享结构，其中，所述单元像素区域的所述像素区域可包括半导体光电转换元件，并且所述单元像素区域可共享有机光电转换元件，以及可在单元像素区域中形成与所述半导体光电转换元件和所述有机光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管transfertransistor。一些示例实施例提供一种图像传感器，其中，与所述有机光电转换元件和所述半导体光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管设置在像素区域中，使得每个转移晶体管共享浮置扩散区域，从而提高集成度。一些示例实施例提供一种能够通过同时地形成连接到有机光电转换元件的穿透电极的接触件contact和转移晶体管的接触件来简化工艺的图像传感器。示例实施例不限于以上提及的那些，并且本领域的技术人员可从以下描述中清楚地理解以上未明确地描述的一些示例实施例。根据一些示例实施例，一种图像传感器可包括衬底、第一半导体光电转换元件、有机光电转换元件、第一浮置扩散区域、第一转移晶体管和第二转移晶体管。所述衬底可包括单元像素区域。所述单元像素区域可包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域。所述衬底可包括第一表面和第二表面。所述第一表面和所述第二表面可彼此面对。所述第二表面可被配置为光入射表面。所述第一半导体光电转换元件可在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封。所述有机光电转换元件可位于所述衬底的所述第二表面上。所述第一浮置扩散区域可位于所述衬底的所述第一表面上。所述第一转移晶体管的第一端可连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端可连接到所述第一浮置扩散区域。所述第二转移晶体管的第一端可连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域。所述至少一个像素区域可包括第一像素区域，所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管可位于所述第一像素区域中。根据一些示例实施例，一种图像传感器可包括衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面。所述图像传感器可包括第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封。所述图像传感器可包括位于所述衬底的所述第二表面上的有机光电转换元件。所述图像传感器可包括位于所述衬底的所述第一表面上的第一浮置扩散区域。所述图像传感器可包括第一穿透电极，所述第一穿透电极被配置为将所述有机光电转换元件与所述第一浮置扩散区域电连接，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分穿透所述衬底。所述图像传感器可包括在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸的第一接触件，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触。所述图像传感器可包括在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸的第二接触件，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第一浮置扩散区域接触。所述第一方向可以是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面的方向。所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面可以是基本上共面的。根据一些示例实施例，一种图像传感器可包括衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面。所述图像传感器可包括第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封。所述图像传感器可包括位于所述衬底的所述第二表面上的有机光电转换元件。所述图像传感器可包括位于所述衬底的所述第一表面上的第一浮置扩散区域。所述图像传感器可包括第一转移栅极，所述第一转移栅极位于所述衬底的所述第一表面上并且被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生。所述图像传感器可包括连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面。所述图像传感器可包括第二转移栅极，所述第二转移栅极位于所述衬底的所述第一表面上并且被配置为使用所述第一穿透电极来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。根据一些示例实施例，一种用于制造图像传感器的方法可包括：在衬底的第一表面上形成沟槽，使得所述沟槽延伸到所述衬底的内部中；形成沿着所述沟槽的侧表面和底表面延伸的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成预穿透电极以填充所述沟槽的未被所述绝缘膜填充的剩余部分；在所述衬底内部形成半导体光电转换元件以与所述预穿透电极间隔开；在所述衬底的所述第一表面上形成浮置扩散区域以与所述预穿透电极间隔开；在所述衬底的所述第一表面上在所述浮置扩散区域的第一侧形成第一转移栅极；在所述预穿透电极与所述浮置扩散区域之间在所述衬底的所述第一表面上在所述浮置扩散区域的面对所述第一侧的第二侧形成第二转移栅极；在所述衬底的所述第一表面上形成蚀刻停止膜，使得所述蚀刻停止膜覆盖所述第一转移栅极、所述第二转移栅极、所述浮置扩散区域的上表面和所述预穿透电极的上表面；在所述蚀刻停止膜上形成层间绝缘膜；形成穿透所述层间绝缘膜和所述蚀刻停止膜以使所述预穿透电极暴露的第一接触孔；以及形成穿透所述间层绝缘膜和所述蚀刻停止膜以使所述浮置扩散区域暴露的第二接触孔。所述第一接触孔的上表面和所述第二接触孔的上表面可以是基本上共面的。附图说明通过参考附图详细地描述本发明构思的示例实施例，本发明构思的以上及其它方面和特征将变得更显而易见，在附图中：图1是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图；图2是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的衬底的图；图3是示出了根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的单元像素区域的布局图；图4是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的电路图；图5是沿着图3的线V-V′截取的截面图；图6是图5的区域K的放大视图；图7是示出了根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的单元像素区域的布局图；图8是沿着图7的线V-V′和线VIII-VIII′截取的截面图；以及图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17是用于说明制造根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的方法的中间步骤图。具体实施方式在下文中，将参考图1至图2描述根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器。图1是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图。图2是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的衬底100的图。参考图1，根据一些示例实施例的图像传感器包括有源像素传感器阵列APS10、行译码器20、行驱动器30、列译码器40、定时发生器50、相关双采样器CDS60、模数转换器ADC70和输入输出缓冲器IO缓冲器80。有源像素传感器阵列10包括二维布置的多个单元像素区域，并且可将光信号转换成电信号。可通过来自行驱动器30的多个驱动信号诸如像素选择信号、复位信号和电荷转移信号来驱动有源像素传感器阵列10。在一些示例实施例中，可将由有源像素传感器阵列10转换的电信号提供给相关双采样器CDS60。行驱动器30可向有源像素传感器阵列10提供用于依照由行译码器20译码的结果来驱动多个单元像素区域的大量驱动信号。当以矩阵形式设置单元像素区域时，可为每行提供驱动信号。定时发生器50可向行译码器20和列译码器40提供定时信号和控制信号。相关双采样器CDS60可接收由有源像素传感器阵列10产生的电信号，并且可保持电信号并对电信号进行采样。相关双采样器CDS60可双重地对电信号的具体噪声电平和信号电平进行采样，并且可输出与噪声电平和信号电平之间的差相对应的差电平。模数转换器ADC70可将与从相关双采样器CDS60输出的差电平相对应的模拟信号转换成数字信号并且输出该数字信号。输入输出缓冲器IO缓冲器80锁存数字信号，并且锁存信号可依照来自列译码器40的译码结果来向视频信号处理单元未示出顺序地输出数字信号。参考图2，周边电路区域II可以是例如其中形成有图1的相关双采样器CDS60、模数转换器ADC70等的区域。传感器阵列区域I可以是例如其中形成有图1的有源像素传感器阵列10的区域。传感器阵列区域I的有源像素传感器阵列10可包括多个单元像素区域。所述多个单元像素区域可包括单元像素区域PU。在一些示例实施例中，周边电路区域II可被形成为围绕传感器阵列区域I，但是本发明构思不限于此。在下文中，将参考图3至图6描述根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器。为了说明清楚起见，将不提供重复描述。图3是示出了根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的单元像素区域PU的布局图。图3可以是作为图2的传感器阵列区域I的部分区域的单元像素区域PU的放大视图。在图3中，为了描述清楚起见，没有示出有机光电转换元件、像素晶体管、接触件和布线。图4是根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的电路图。图4可以是与图3的布局相对应的电路图。参考图3和图4，根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器可包括具有单元像素区域PU的衬底图2的100。单元像素区域PU可包括像素晶体管形成区域PXTR和至少一个像素区域。在一些示例实施例中，单元像素区域PU可包括第一像素区域PR1。像素晶体管形成区域PXTR可围绕第一像素区域PR1的周边。单元像素区域PU可包括例如第一半导体光电转换元件PD1、有机光电转换元件OPD、第一转移晶体管TR1和第二转移晶体管TR2、第一浮置扩散区域FD1、复位晶体管TRR、源跟随器晶体管SF和选择晶体管SEL。第一转移晶体管TR1的栅极可以是第一转移栅极TG1，第二转移晶体管TR2的栅极可以是第二转移栅极TG2。在一些示例实施例中，复位晶体管TRR的栅极可以是复位栅极RG。第一半导体光电转换元件PD1、有机光电转换元件OPD、第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2和第一浮置扩散区域FD1可形成第一组GA。复位栅极RG、源跟随器晶体管SF和选择晶体管SEL可形成第二组GB。在一些示例实施例中，第一组GA可设置在第一像素区域PR1中，第二组GB可设置在像素晶体管形成区域PXTR中。换句话说，第一半导体光电转换元件PD1、第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2和第一浮置扩散区域FD1可设置在单元像素区域PU的第一像素区域PR1中。此外，复位栅极RG、源跟随器晶体管SF和选择晶体管SEL可设置在像素晶体管形成区域PXTR中。例如，有机光电转换元件OPD可仅设置在第一像素区域PR1中，并且可设置在第一像素区域PR1和像素晶体管形成区域PXTR上方。复位晶体管TRR和源跟随器晶体管SF可位于像素晶体管形成区域PXTR中。第一穿透电极110可进一步设置在第一像素区域PR1中。将稍后描述第一穿透电极110的细节。在第一像素区域PR1中，第一浮置扩散区域FD1可设置在第一转移栅极TG1与第二转移栅极TG2之间。在第一像素区域PR1中，第一半导体光电转换元件PD1可设置为覆盖第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2和第一浮置扩散区域FD1。在第一像素区域PR1中，第一穿透电极110可设置为不与第一半导体光电转换元件PD1交叠。然而，本发明构思不限于此。例如，必要时当然可改变第一像素区域PR1中的组成元件的布置。例如，第一半导体光电转换元件PD1可包括光电二极管、光电晶体管、光电门、插入式光电二极管PPD及其组合。第一半导体光电转换元件PD1和有机光电转换元件OPD可检测具有不同波长的光。第一半导体光电转换元件PD1和有机光电转换元件OPD中的每一个均通过稍后将描述的第一微透镜图5的ML1接收提供的光图5的L，并且可与入射光图5的L的量成比例地产生作为光电荷的第一电信号和第二电信号。如图4中所示，第一转移晶体管TR1的一端例如，第一端可连接到第一半导体光电转换元件PD1，第一转移晶体管TR1的另一端例如，第二端可连接到第一浮置扩散区域FD1。可通过第一转移控制信号TX1来选通第一转移晶体管TR1的第一转移栅极TG1。第一转移栅极TG1可依照第一转移控制信号TX1向第一浮置扩散区域FD1转移第一电信号，所述第一电信号是由第一半导体光电转换元件PD1产生的电荷例如，第一电荷。如图4中进一步所示，第二转移晶体管TR2的一端例如，第一端可连接到有机光电转换元件OPD，第二转移晶体管TR2的另一端例如，第二端可连接到第一浮置扩散区域FD1。可通过第二转移控制信号TX2来选通第二转移晶体管TR2的第二转移栅极TG2。第二转移栅极TG2可依照第二转移控制信号TX2向第一浮置扩散区域FD1转移第二电信号，其中第二电信号是由有机光电转换元件OPD产生的电荷例如，第二电荷。第一转移晶体管TR1和第二转移晶体管TR2可共享第一浮置扩散区域FD1。第一浮置扩散区域FD1接收提供的第一电信号和或第二电信号并且可累积地存储第一电信号和或第二电信号。复位晶体管TRR的一端可连接到电源电压VDD，复位晶体管TRR的另一端可连接到第一浮置扩散区域FD1。可通过复位控制信号RX来选通复位晶体管TRR的复位栅极RG。复位晶体管TRR可被配置为用电源电压VDD来复位第一浮置扩散区域FD1。源跟随器晶体管SF的一端可连接到电源电压VDD，源跟随器晶体管SF的另一端可连接到选择晶体管SEL的一端。源跟随器晶体管SF可以是通过第一浮置扩散区域FD1来控制并且能够产生输出电压的驱动晶体管。如图4中所示，源跟随器晶体管SF的栅极可以连接到第一浮置扩散区域FD1。源跟随器晶体管SF与位于单元像素外部的恒定电流源组合并且充当源跟随器缓冲放大器，可放大第一浮置扩散区域FD1中的电位变化以产生输出电压Vout。可将输出电压Vout输出到选择晶体管SEL。选择晶体管SEL的一端可连接到源跟随器晶体管SF的另一端，选择晶体管SEL的另一端可连接到列线CL。选择晶体管SEL可由选择控制信号SX选通。选择晶体管SEL可将输出电压Vout输出到连接到单元像素区域PU的列线CL。可从图1的行驱动器30输出第一转移控制信号TX1、第二转移控制信号TX2、复位控制信号RX和选择控制信号SX。在根据本发明构思的图像传感器中，因为第一半导体光电转换元件PD1、第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2和第一浮置扩散区域FD1设置在单元像素区域PU的第一像素区域PR1中，所以可提高图像传感器的集成度并且可提高电信号的准确度。例如，通过在第一像素区域PR1中设置与第一半导体光电转换元件PD1相对应的第一转移晶体管TR1和与有机光电转换元件OPD相对应的第二转移晶体管TR2，可将作为从第一半导体光电转换元件PD1和有机光电转换元件OPD产生的光电荷的第一电信号和第二电信号准确地发送到第一浮置扩散区域FD1。此外，在根据本发明构思的图像传感器中，通过使第一转移晶体管TR1和第二转移晶体管TR2共享第一浮置扩散区域FD1，能够提高图像传感器的集成度。图5是沿着图3的线V-V′截取的截面图。图6是图5的区域K的放大视图。图3的布局图可以是当在从衬底100的第一表面S1朝向第二表面S2的方向上观察时的布局。参考图5和图6，衬底100可包括彼此面对的第一表面S1和第二表面S2。衬底100的第二表面S2可以是光L入射在其上的表面例如，第二表面S2相对于第一表面S1接近于可在衬底100处接收光的环境，使得第二表面S2可被理解为并在本文中称为配置为“光入射表面”。衬底100可以是例如体硅或绝缘体上硅SOI。或者，衬底100可以是硅衬底或者可包含其它材料，诸如硅锗、锑化铟、铅碲化合物、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。在一些示例实施例中，衬底100可具有形成在基础衬底上的外延层。第一半导体光电转换元件PD1可设置在第一像素区域PR1的衬底100内部。如在本文中参考的，“在”另一元件“内部”的元件可被另一元件至少部分地围绕例如，“包封”，使得被围绕的元件位于由另一元件的外边界例如，外表面限定的体积内。因此，这里，第一半导体光电转换元件PD1可被第一像素区域PR1的衬底100至少部分地围绕，使得第一半导体光电转换元件PD1位于由衬底100的一些或全部外表面限定的体积内。除了衬底100的在第一表面与第二表面之间延伸的表面之外，衬底100的外表面还可包括第一表面S1和第二表面S2。可通过将具有与衬底100的导电类型相反的导电类型的杂质掺杂到衬底100中来形成第一半导体光电转换元件PD1。此外，第一半导体光电转换元件PD1可在第一半导体光电转换元件PD1的上部和下部之间具有杂质浓度差，使得第一半导体光电转换元件PD1可沿着第一方向D1具有电位倾斜。例如，可以以堆叠多个杂质区域的形式形成第一半导体光电转换元件PD1。这里，第一方向D1可以是从衬底100的第二表面S2朝向衬底100的第一表面S1正交于衬底的第二表面S2而延伸的方向。第一浮置扩散区域FD1可设置在第一像素区域PR1的衬底100的第一表面S1上。例如，第一浮置扩散区域FD1可在衬底100的第一表面S1侧设置在衬底100内部，使得第一浮置扩散区域FD1被衬底100至少部分地包封，如例如图5中所示。如在本文中参考的，“在”另一元件“上”的元件可被理解为在另一元件上方和或下方。另外，“在”另一元件“上”的元件可“直接地在”另一元件“上”例如，与另一元件直接接触并且或者可“间接地在”另一元件“上”例如，与另一元件间隔开，使得插置元件和或空间位于该元件和其它元件的接近表面之间。第一转移晶体管TR1和第二转移晶体管TR2可设置在衬底100的第一表面S1上。第一转移晶体管TR1的第一转移栅极TG1和第二转移晶体管TR2的第二转移栅极TG2可设置在衬底100的第一表面S1上。第一转移栅极TG1和第二转移栅极TG2可以以第一浮置扩散区域FD1为中心设置在第一浮置扩散区域FD1的两侧。第一转移晶体管TR1的源极区域124可设置在第一转移栅极TG1的一侧。第一转移晶体管TR1的源极区域124可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。第一转移晶体管TR1的漏极区域可以是第一浮置扩散区域FD1。第二转移晶体管TR2的源极区域134可设置在第二转移栅极TG2的另一侧。第二转移晶体管TR2的源极区域134可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。第二转移晶体管TR2的漏极区域可以是第一浮置扩散区域FD1。第一转移栅极TG1可包括第一转移栅电极120和第一转移栅极绝缘膜121。第二转移栅极TG2可包括第二转移栅电极130和第二转移栅极绝缘膜131。在一些示例实施例中，第一转移栅电极120可包括第一部分120a和第二部分120b。第一转移栅电极的第一部分120a可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。换句话说，第一转移栅电极的第一部分120a可埋置在衬底100内部。第一转移栅电极的第一部分120a可在从衬底100的第一表面S1朝向衬底100的第二表面S2的方向上延伸。第一转移栅电极的第一部分120a可设置在第一转移栅电极的第二部分120b上。第一转移栅电极的第二部分120b可在第一方向D1上从衬底100的第一表面S1突出。在一些示例实施例中，第一转移栅电极的第一部分120a的宽度可小于第一转移栅电极的第二部分120b的宽度。第一转移栅电极的第一部分120a的宽度和第一转移栅电极的第二部分120b的宽度中的每一个均可分别是在第二方向D2上测量的值。然而，本发明构思不限于此。例如，理所当然的是第一转移栅电极的第一部分120a的宽度和第一转移栅电极的第二部分120b的宽度可以是基本上相同的。第二转移栅电极130可被设置为在第一方向D1上从衬底100的第一表面S1延伸。第一转移栅电极120和第二转移栅电极130可包括例如导电材料。这些导电材料的示例可包括但不限于掺杂多晶硅、氮化钛TiN、氮化钽TaN、氮化钨WN、钛Ti、钽Ta和钨W。第一转移栅极绝缘膜121可插置在第一转移栅电极120与衬底100之间。例如，第一转移栅极绝缘膜121可设置在第一转移栅电极的第二部分120b与衬底100的第一表面S1之间，并且可设置在第一转移栅电极的第一部分120a的侧壁与衬底100之间。第一转移栅极绝缘膜121可设置在第一转移栅电极的第一部分120a的底表面与衬底100之间。第二转移栅极绝缘膜131可插置在第二转移栅电极130与衬底100的第一表面S1之间。第一转移栅极绝缘膜121和第二转移栅极绝缘膜131可包括例如高介电常数高K材料。可使用高介电常数材料，但不限于包括例如氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝等。例如，第一转移栅极绝缘膜121和第二转移栅极绝缘膜131可包括氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等。第一转移栅极间隔体123可设置在第一转移栅极TG1的两侧。例如，第一转移栅极间隔体123可不延伸到衬底100的内部中。换句话说，第一转移栅极间隔体123可设置在第一转移栅电极的第二部分120b的两侧。第一转移栅极间隔体123可延伸到衬底100的第一表面S1。第二转移栅极间隔体133可设置在第二转移栅极TG2的两侧。第二转移栅极间隔体133可延伸到衬底100的第一表面S1。第一转移栅极间隔体123和第二转移栅极间隔体133可包括例如氮化硅SiN、氮氧化硅SiON、氧化硅SiO2、氧碳氮化硅SiOCN和它们的组合中的至少一种。第一元件隔离膜115可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。第一元件隔离膜115可使第一转移晶体管TR1与其它组成元件绝缘。第一元件隔离膜115可包括绝缘材料。保护平整化膜210可设置在衬底100的第二表面S2上。保护平整化膜210可以是高浓度杂质层，并且可通过掺杂诸如硼B的P型杂质来形成。然而，本发明构思不限于此，并且保护平整化膜210可由具有负电荷的氧化膜等形成。保护平整化膜210可防止硅的悬空键缺陷、由蚀刻应力引起的表面缺陷等，或者防止通过由于界面陷阱而导致的与衬底100相邻的表面上的电位下降所引起的耗尽阱的发生。另外，保护平整化膜210可提供电位倾斜，使得在与衬底100相邻的部分中产生的光电荷可流入第一浮置扩散区域FD1。第一层间绝缘膜220可设置在保护平整化膜210上。第一层间绝缘膜220可由绝缘材料形成。第一滤色器CF1可在第一层间绝缘膜220内部设置在保护平整化膜210上。第一滤色器CF1可设置在第一半导体光电转换元件PD1与有机光电转换元件OPD之间。第一滤色器CF1可仅允许入射光L当中的特定波段的光通过。例如，第一滤色器CF1可允许入射光L当中的未被有机光电转换元件OPD转换成电信号的波段通过。虽然在下面进一步描述的至少图5和图8示出了第一滤色器CF1可位于第一半导体光电转换元件PD1与有机光电转换元件OPD之间，但是应理解的是，在一些示例实施例中，第一滤色器CF1可相对于有机光电转换元件OPD远离第一半导体光电转换元件PD1，使得有机光电转换元件OPD位于第一半导体光电转换元件PD1与第一滤色器之间CF1。有机光电转换元件OPD可设置在衬底100的第二表面S2上。有机光电转换元件OPD可设置在第一层间绝缘膜220上。在有机光电转换元件OPD中，例如，有机光电转换元件OPD与通过第一微透镜ML1入射的光当中的绿光起反应，并且可将绿光转换成电信号。例如，有机光电转换元件OPD可包括诸如有机半导体、量子点和硫属元素化物的非硅材料或者非晶硅a-Si材料。第一电极OPDE1可设置在有机光电转换元件OPD下面。第一电极OPDE1可设置在第一像素区域PR1的第一层间绝缘膜220中。第二电极OPDE2可设置在有机光电转换元件OPD上。例如，可对第一电极OPDE1和第二电极OPDE2施加不同大小的电压。第一微透镜ML1可设置在第一像素区域PR1中的第二电极OPDE2上。第一微透镜ML1可为凸状并且可具有预定的曲率半径。第一微透镜ML1可由透光树脂形成。第一微透镜ML1可使光L会聚在第一像素区域PR1中。如图5中所示，第一穿透电极110从衬底100的第一表面S1延伸到第一电极OPDE1并且可连接到有机光电转换元件OPD。第一穿透电极110可包括第一部分110a和第二部分110b。如图5中所示，第一穿透电极的第一部分110a从衬底100的第一表面S1延伸到衬底100的第二表面S2并且可穿过衬底100的内部。第一穿透电极的第二部分110b可从衬底100的第二表面S2穿过保护平整化膜210和第一层间绝缘膜220以与第一电极OPDE1接触。衬底100的第一表面S1可使第一穿透电极110暴露。第一穿透电极110可电连接例如，可被配置为电连接第一浮置扩散区域FD1和有机光电转换元件OPD。将稍后描述其细节。如图5中所示，第一穿透电极110可位于第一像素区域PR1中。图5示出了第一穿透电极110的侧壁相对于衬底100的第一表面S1具有垂直倾斜的配置，但是本发明构思不限于此。例如，理所当然的是第一穿透电极110的侧壁可相对于衬底100的第一表面S1具有任意角度的倾斜。另外，第一穿透电极的第一部分110a的侧壁的倾斜和第一穿透电极的第二部分110b的侧壁的倾斜参考衬底100的第一表面S1可彼此不同。第一穿透电极110可包括例如导电材料。例如，第一穿透电极110可包括钨、铝、铜和掺杂硅中的任何一种。或者，例如，第一穿透电极110也可包括金属材料和掺杂硅的组合材料。第一穿透电极的第一部分110a可被第一绝缘膜113围绕。换句话说，第一绝缘膜113可插置在第一穿透电极的第一部分110a与衬底100之间。第一绝缘膜113可包括绝缘材料。第一穿透电极的第二部分110b可被第一层间绝缘膜220围绕。尽管图5示出了第一绝缘膜113的与衬底100的第一表面S1相邻的部分的宽度不同于第一绝缘膜113的与衬底100的第二表面S2的部分的宽度的配置，然而本发明构思不限于此。例如，理所当然的是可取决于图像传感器的制造工艺而不同地修改第一绝缘膜113的形状。第一蚀刻停止膜140可设置在第一像素区域PR1的衬底100的第一表面S1下面“上”。第一蚀刻停止膜140可被设置为覆盖第一穿透电极110的下表面以及第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2和第一浮置扩散区域FD1的下表面。因此，第一蚀刻停止膜140可覆盖第一穿透电极110、第一转移晶体管TR1、第二转移晶体管TR2和第一浮置扩散区域FD1。这里，第一穿透电极110的下表面可以是第一穿透电极110的通过衬底100的第一表面S1暴露的部分。另外，第一浮置扩散区域FD1的下表面可以是第一浮置扩散区域FD1的通过衬底100的第一表面S1暴露的部分。具体地，第一蚀刻停止膜140可覆盖第一绝缘膜113、第一穿透电极110的下表面、第二转移晶体管TR2的源极区域134、第二转移栅极间隔体133的侧壁、第二转移栅电极130、第一浮置扩散区域FD1、第一转移栅极间隔体123的侧壁、第一转移栅电极120和第一转移晶体管TR1的源极区域124。第一蚀刻停止膜140可包括例如氮化硅SiN。第二层间绝缘膜150可设置在第一蚀刻停止膜140下面。第三层间绝缘膜170可设置在第二层间绝缘膜150下面。第二层间绝缘膜150和第三层间绝缘膜170可由绝缘材料形成。例如，第二层间绝缘膜150和第三层间绝缘膜170可由HDP高密度等离子体、TOSZTonenSilaZene、SOG旋涂玻璃、USG未掺杂硅石玻璃等形成。然而，本发明构思不限于此。第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159可设置为在第二层间绝缘膜150中彼此间隔开。第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159中的每一个均可在第一方向D1上从衬底100的第一表面S1延伸。第一接触件151可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140并且与第一穿透电极110接触。因此，如图5-6中所示，第一接触件151可在第一方向例如，D1上从衬底100的第一表面S1延伸。第一接触件151可包括第一表面151U以及面对第一表面151U的第二表面151V，其中第二表面151V与第一穿透电极110接触。第二接触件153可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140并且与第二转移晶体管TR2的源极区域134接触。因此，如图5-6中所示，第二接触件153可在第一方向例如，D1上从衬底100的第一表面S1延伸。第二接触件153可包括第一表面153U在本文中也称为第三表面以及面对第一表面153U并且与第二转移晶体管TR2的源区接触134接触的第二表面153V在本文中也称为第四表面。第三接触件155可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140并且与第二转移栅电极130接触。因此，如图5-6中所示，第一接触件151和第二接触件153可穿透第一蚀刻停止膜140。第三接触件155可包括第一表面155U以及面对第一表面155U并且与第二转移栅极TG2接触的第二表面。第四接触件157可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140并且与第一浮置扩散区域FD1接触。第四接触件157可包括第一表面157U以及面对第一表面157U并且与第一浮置扩散区域FD1接触的第二表面157V。第五接触件159可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140并且与第一转移栅电极120接触。第五接触件159可包括第一表面159U以及面对第一表面159U并且与第一转移栅极TG1接触的第二表面。在一些示例实施例中，第一接触件的第一表面151U、第二接触件的第一表面153U、第三接触件的第一表面155U、第四接触件的第一表面157U和第五接触件的第一表面159U可位于或者基本上位于相同平面上例如，可以是共面的或基本上共面的。例如，第一接触件151的第一表面151U和第二接触件153的第一表面153U可以是共面的或基本上共面的。“基本上”共面的元件将在本文中被理解为在制造公差和或材料公差内共面。换句话说，第一接触件的第一表面151U、第二接触件的第一表面153U、第三接触件的第一表面155U、第四接触件的第一表面157U和第五接触件的第一表面159U可参考衬底100的第一表面S1位于相同高度处。第一接触件的第一表面151U、第二接触件的第一表面153U、第三接触件的第一表面155U、第四接触件的第一表面157U和第五接触件的第一表面159U可位于与第二层间绝缘膜150和第三层间绝缘膜170之间的边界相同的平面上。在根据本发明构思的图像传感器中，因为第一接触件的第一表面151U位于与第二接触件的第一表面153U、第三接触件的第一表面155U、第四接触件的第一表面157U和第五接触件的第一表面159U相同的平面上，所以能够简化图像传感器的制造工艺。例如，可以以相同的水平形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159。这里，“相同的水平”意指通过相同的制造工艺来形成。尽管将稍后进行描述，然而为了使第一表面151U、153U、155U、157U和159U位于相同平面上，在形成第二层间绝缘膜150之后，可同时形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159。第一布线171可设置在第一像素区域PR1的第三层间绝缘膜170中。例如，第一布线171可连接第一接触件151和第二接触件153。第一布线171可包括导电材料。在一些示例实施例中，有机光电转换元件OPD可通过第一穿透电极110、第一接触件151、第一布线171和第二接触件153电连接到第一浮置扩散区域FD1。例如。第二转移栅极TG2可使用第一穿透电极110、第一接触件151、第一布线171、第二接触件153和第二转移晶体管TR2的源极区域134来将第二电信号转移到第一浮置扩散区域FD1，所述第二电信号是由有机光电转换元件OPD产生的光电荷例如，第二电荷。在下文中，将参考图7和图8描述根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器。为了说明清楚起见，将不提供重复描述。图7是用于说明根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的单元像素区域PU的布局图。图7可以是作为图2的传感器阵列区域I的部分区域的单元像素区域PU的放大视图。在图7中，为了说明清楚起见，没有示出有机光电转换元件、像素晶体管、接触件和布线。图8是沿着图7的线V-V′和线VIII-VIII′截取的截面图。参考图7和图8，根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的单元像素区域PU可包括第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4。第二像素区域PR2可在第三方向D3上与第一像素区域PR1间隔开。第三像素区域PR3可在第二方向D2上与第一像素区域PR1间隔开。第四像素区域PR4可在第二方向D2上与第二像素区域PR2间隔开并且可在第三方向D3上与第三像素区域PR3间隔开。在附图中，单元像素区域PU被示出为包括四个像素区域，但是本发明构思不限于此。例如，单元像素区域PU可包括至少一个像素区域，并且可根据需要包括任意数量的像素区域。另外，当单元像素区域PU包括多个像素区域时，理所当然的是所述多个像素区域的相应布置可与所示出的布置不同。像素晶体管形成区域PXTR可围绕第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4中的每一者的周边。第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4中的每一个均可与参考图3至图6所描述的第一像素区域PR1相同。例如，第二像素区域PR2可包括第二半导体光电转换元件PD2、第三转移栅极TG3、第四转移栅极TG4、第二浮置扩散区域FD2和第二穿透电极310。例如，第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4可共享复位栅极RG、源跟随器晶体管SF和选择晶体管SEL。另外，第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4可共享有机光电转换元件OPD。有机光电转换元件OPD可例如设置在第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4上方。换句话说，有机光电转换元件OPD可与第一像素区域PR1、第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4中的每一个交叠。第二半导体光电转换元件PD2可设置在第二像素区域PR2的衬底100内部，使得第二半导体光电转换元件PD2被第二像素区域PR2的衬底100至少部分地包封其中第二像素区域PR2的衬底100可与第一像素区域PR1的衬底100相同。第二半导体光电转换元件PD2可对应于第一半导体光电转换元件PD1。第二半导体光电转换元件PD2可检测与第一半导体光电转换元件PD1和有机光电转换元件OPD的波长不同的波长的光。第二半导体光电转换元件PD2可通过第二微透镜ML2接收提供的光L以与入射光的量成比例地产生作为光电荷的第三电信号。第二浮置扩散区域FD2可设置在第二像素区域PR2的衬底100的第一表面S1上。例如，第二浮置扩散区域FD2可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。第二浮置扩散区域FD2可对应于第一浮置扩散区域FD1。第三转移栅极TG3可包括第三转移栅电极320和第三转移栅极绝缘膜321。第三转移栅极TG3可对应于第一转移栅极TG1。换句话说，第三转移栅极TG3可具有与第一转移栅极TG1的形状基本上相同的形状。另外，第三转移栅极TG3可包括与包含在第一转移栅极TG1中的材料相同的材料。第三转移栅极TG3可以是第三转移晶体管TR3的栅极。第三转移晶体管TR3的源极区域324可设置在第三转移栅极TG3的一侧。第三转移晶体管TR3的源极区域324可对应于第一转移晶体管TR1的源极区域124。第三晶体管的漏极区域可以是第二浮置扩散区域FD2。第三转移晶体管TR3可对应于第一转移晶体管TR1。因此，第三转移晶体管TR3的一端例如，第一端可连接到第二半导体光电转换元件PD2，第三转移晶体管TR3的另一端例如，第二端可连接到第二浮置扩散区域FD2。第三转移晶体管TR3可被配置为将第三电信号转移到第二浮置扩散区域FD2，所述第三电信号是由第二半导体光电转换元件PD2产生的电荷。第四转移栅极TG4可包括第四转移栅电极330和第四转移栅极绝缘膜331。第四转移栅极TG4可具有与第二转移栅极TG2的形状基本上相同的形状。在一些示例实施例中，第四转移栅极TG4可包括与包含在第二转移栅极TG2中的材料相同的材料。第四转移栅极TG4可以是第四转移晶体管TR4的栅极。第四转移晶体管TR4的源极区域334可设置在第四转移栅极TG4的另一侧。第四转移晶体管TR4的源极区域334可与第二转移晶体管TR2的源极区域134基本上相同。第四晶体管的漏极区域可以是第二浮置扩散区域FD2。第四转移晶体管TR4可对应于第二转移晶体管TR2。因此，第四转移晶体管TR4的一端例如，第一端可连接到有机光电转换元件OPD，第四转移晶体管TR4的另一端例如，第二端可连接到第二浮置扩散区域FD2。第四转移晶体管TR4可将第四电信号转移到第二浮置扩散区域FD2，所述第四电信号是由有机光电转换元件OPD产生的电荷。第三转移晶体管TR3和第四转移晶体管TR4可共享第二浮置扩散区域FD2。第二浮置扩散区域FD2可接收提供的第三电信号和或第四电信号并且累积地存储电信号。第三转移栅极间隔体323和第四转移栅极间隔体333中的每一个均可对应于第一转移栅极间隔体123和第二转移栅极间隔体133中的每一个。第二元件隔离膜315可在衬底100内部设置在衬底100的第一表面S1上。第二元件隔离膜315可对应于第一元件隔离膜115。保护平整化膜210和第一层间绝缘膜220可设置为不仅覆盖第一像素区域PR1而且覆盖第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4。第二滤色器CF2可在保护平整化膜210上设置在第一层间绝缘膜220内部。第二滤色器CF2可设置在第二半导体光电转换元件PD2与有机光电转换元件OPD之间。第二滤色器CF2可设置为与第一滤色器CF1间隔开。第二滤色器CF2可允许入射光L当中的未被有机光电转换元件OPD转换成电信号的波段通过。第二滤色器CF2和第一滤色器CF1可允许入射光L当中的不同波段的光通过。虽然至少图8示出了第二滤色器CF2可位于第二半导体光电转换元件PD2与有机光电转换元件OPD之间，但是应理解的是，在一些示例实施例中，第二滤色器CF2可相对于有机光电转换元件OPD远离第二半导体光电转换元件PD2，使得有机光电转换元件OPD位于第二半导体光电转换元件PD2与第二滤色器CF2之间。此外，因为如上所述，有机光电转换元件OPD可位于第一半导体光电转换元件PD1与第一滤色器CF1之间，所以在一些示例实施例中，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2两者都可相对于有机光电转换元件OPD远离衬底100，使得有机光电转换元件OPD位于滤色器例如，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2与半导体光电转换元件例如，第一半导体光电转换元件PD1和第二半导体光电转换元件PD2之间。第三电极OPDE3可设置在有机光电转换元件OPD下面。第三电极OPDE3可在第二像素区域PR2中设置在第一层间绝缘膜220内部。第二电极OPDE2可不仅在第一像素区域PR1中而且在第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4中设置在有机光电转换元件OPD上。例如，可对第一电极OPDE1和第三电极OPDE3施加不同大小的电压。第二微透镜ML2可设置在第二像素区域PR2中的第二电极OPDE2上。第二微透镜ML2可使光L会聚在第二像素区域PR2中。第二微透镜ML2可对应于第一微透镜ML1。第二穿透电极310可包括第一部分310a和第二部分310b。第二穿透电极310的形状可与第一穿透电极110的形状基本上相同。包含在第二穿透电极310中的材料可与包含在第一穿透电极110中的材料基本上相同。第二穿透电极310可电连接第二浮置扩散区域FD2和有机光电转换元件OPD。第二穿透电极310的第一部分310a可被第二绝缘膜313围绕。第二绝缘膜313可对应于第一绝缘膜113。第二蚀刻停止膜340可设置在第二像素区域PR2的衬底100的第一表面S1下面。第二蚀刻停止膜340可设置为覆盖第二穿透电极310、第三转移栅极TG3、第四转移栅极TG4和第二浮置扩散区域FD2的下表面。包含在第二蚀刻停止膜340中的材料可与包含在第一蚀刻停止膜140中的材料基本上相同。由于第一像素区域PR1与第二像素区域PR2之间的DTI深沟槽隔离，第一蚀刻停止膜140和第二蚀刻停止膜340可彼此连接或者可彼此分离。第二层间绝缘膜150和第三层间绝缘膜170可以不仅设置在第一像素区域PR1上方，而且设置在第二像素区域PR2、第三像素区域PR3和第四像素区域PR4上方。第二层间绝缘膜150还可在第二像素区域PR2中包括第六接触件351、第七接触件353、第八接触件355、第九接触件357和第十接触件359。第六接触件351、第七接触件353、第八接触件355、第九接触件357和第十接触件359中的每一个均可对应于第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159中的每一个。第六接触件351、第七接触件353、第八接触件355、第九接触件357和第十接触件359中的每一者的上表面可位于相同平面上。第六接触件351、第七接触件353、第八接触件355、第九接触件357和第十接触件359中的每一者的上表面可参考衬底100的第一表面S1位于相同的高度处。第六接触件351、第七接触件353、第八接触件355、第九接触件357和第十接触件359中的每一者的上表面可位于与第二层间绝缘膜150的上表面相同的平面上。第二布线371可设置在第二像素区域PR2的第三层间绝缘膜170中。例如，第二布线371可连接第六接触件351和第七接触件353。包含在第二布线371中的材料可例如与包括在第一布线171中的材料基本上相同。在一些示例实施例中，有机光电转换元件OPD可通过第二穿透电极310、第六接触件351、第二布线371和第七接触件353电连接到第二浮置扩散区域FD2。例如，第四转移栅极TG4可使用第二穿透电极310、第六接触件351、第二布线371、第七接触件353和第四转移晶体管TR4的源极区域334来将第四电信号转移到第二浮置扩散区域FD2，所述第四电信号是从有机光电转换元件OPD产生的光电荷。在下文中，将参考图9至图17描述用于制造根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的方法。为了说明清楚起见，将不提供重复描述。图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17分别是用于说明制造根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的方法的中间步骤图。参考图9，可在衬底100的第一表面S1上形成第一沟槽T1和第二沟槽T2。如图9中所示，第一沟槽T1和第二沟槽T2中的每一个均可延伸到衬底100的内部中。第二沟槽T2的侧壁可包括具有不同宽度的部分，但是本发明构思不限于此。参考图10，可形成第一绝缘膜113和第一元件隔离膜115。第一元件隔离膜115可被形成为填充第一沟槽T1。如图9中所示，第一绝缘膜113可被形成为沿着第二沟槽T2的侧表面和底表面延伸。第一绝缘膜113可不填充第二沟槽T2的全部。参考图11，通过填充第二沟槽T2的在形成第一绝缘膜113之后留下的部分例如，第二沟槽T2的未被第一绝缘膜113填充的剩余部分，可形成预穿透电极110ap，使得第二沟槽T2被第一绝缘膜113和预穿透电极110ap的组合完全填充。预穿透电极110ap可形成在第一绝缘膜113上。第二沟槽T2可用第一绝缘膜113和预穿透电极110ap填充。参考图12，可形成第一半导体光电转换元件PD1、第一浮置扩散区域FD1、第一转移晶体管TR1、第二转移晶体管TR2和第一蚀刻停止膜140。如图12中所示，可在衬底100内部形成第一半导体光电转换元件PD1以与预穿透电极110ap间隔开。可在衬底100的第一表面S1上形成第一转移栅极TG1和第二转移栅极TG2。如图12中所示，可在衬底100的第一表面S1上在浮置扩散区域FD1的第一侧形成第一转移栅极TG1，并且可在预穿透电极110ap与浮置扩散区域FD1之间在衬底100的第一表面S1上在浮置扩散区域FD1的面对第一侧的第二侧形成第二转移栅极TG2。如图12中所示，可在第一转移栅极TG1的一侧形成第一转移晶体管TR1的源极区域124，并且可在第一转移栅极TG1的另一侧形成第一浮置扩散区域FD1。在一些示例实施例中，可在第二转移栅极TG2的另一侧形成第二转移晶体管TR2的源极区域134。可在预穿透电极110ap与第一浮置扩散区域FD1之间形成第二转移栅极TG2。可在衬底100的第一表面S1上形成第一浮置扩散区域FD1以与预穿透电极110ap间隔开。如在本文中参考的，与另一元件“间隔开”的元件将被理解为与另一元件隔离以免直接接触。可形成第一蚀刻停止膜140以完全覆盖衬底100的第一表面S1。因此，可用第一蚀刻停止膜140覆盖形成在衬底100的第一表面S1上的组成元件例如，第一转移栅极TG1、第一转移栅极间隔体123和第二转移栅极间隔体133及第二转移栅极TG2。因此，第一蚀刻停止膜140可覆盖第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2、第一浮置扩散区域FD1和预穿透电极110ap的上表面。因此，如图12中所示，第一蚀刻停止膜140可在衬底100的第一表面S1上覆盖第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2、浮置扩散区域FD1的上表面和预穿透电极110ap的上表面。参考图13，可在第一蚀刻停止膜140上形成第二层间绝缘膜150。参考图14，可在第二层间绝缘膜150中形成第一预接触孔PCH1、第二预接触孔PCH2、第三预接触孔PCH3、第四预接触孔PCH4和第五预接触孔PCH5以彼此间隔开。第一预接触孔PCH1、第二预接触孔PCH2、第三预接触孔PCH3、第四预接触孔PCH4和第五预接触孔PCH5可沿着第一方向D1在第二层间绝缘膜150中延伸。第一预接触孔PCH1、第二预接触孔PCH2、第三预接触孔PCH3、第四预接触孔PCH4和第五预接触孔PCH5可使第一蚀刻停止膜140暴露。可在第一穿透电极110上形成第一预接触孔PCH1。可在第二转移晶体管TR2的源极区域134上形成第二预接触孔PCH2。可在第二转移栅极TG2上形成第三预接触孔PCH3。可在第一浮置扩散区域FD1上形成第四预接触孔PCH4。可在第一转移栅极TG1上形成第五预接触孔PCH5。参考图15，可形成穿透第一蚀刻停止膜140的第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5中的每一个。可通过去除由第一预接触孔PCH1、第二预接触孔PCH2、第三预接触孔PCH3、第四预接触孔PCH4和第五预接触孔PCH5中的每一个暴露的第一蚀刻停止膜140来形成第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5中的每一个。第一接触孔CH1可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140以使预穿透电极110ap暴露。第二接触孔CH2可使第二转移晶体管TR2的源极区域134暴露。第三接触孔CH3可使第二转移栅电极130暴露。第四接触孔CH4可穿透第二层间绝缘膜150和第一蚀刻停止膜140以使浮置扩散区域FD1暴露。第五接触孔CH5可使第一转移栅电极120暴露。在用于制造根据本发明构思的图像传感器的方法中，可在相同时间形成例如，可同时地形成第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5。如图15中所示，第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5的上表面例如，远离第一蚀刻停止膜140的表面可以是共面的或基本上共面的。如图15中所示，在第一像素区域PR1中形成预穿透电极110ap、半导体光电转换元件PD1、浮置扩散区域FD1、第一转移栅极TG1、第二转移栅极TG2以及第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5。参考图16，可形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159。可通过用接触材料填充第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5中的每一个来形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159中的每一个。例如，第一接触件151可填充第一接触孔CH1，第二接触件153可填充第二接触孔CH2，第三接触件155可填充第三接触孔CH3，第四接触件157可填充第四接触孔CH4，第五接触件159可填充第五接触孔CH5。在用于制造根据本发明构思的图像传感器的方法中，可同时形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159。例如，接触材料填充第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4和第五接触孔CH5，并且也可形成在第二层间绝缘膜150上。可例如通过经由平整化工艺等去除形成在第二层间绝缘膜150上的接触材料来形成第一接触件151、第二接触件153、第三接触件155、第四接触件157和第五接触件159。因此，第一接触件的第一表面151U、第二接触件的第一表面153U、第三接触件的第一表面155U、第四接触件的第一表面157U和第五接触件的第一表面159U可位于相同平面上。参考图17，可形成第一穿透电极的第一部分110a。可通过去除衬底100的一部分和第二沟槽T2的底表面的一部分使得预穿透电极110ap被暴露来形成第一穿透电极的第一部分110a。也可去除形成在第二沟槽T2的底表面上的第一绝缘膜113的一部分，以形成第一穿透电极的第一部分110a。衬底100的第二表面S2可使第一穿透电极的第一部分110a暴露。参考图5，可在衬底100的第二表面S2上形成保护平整化膜210、第一滤色器CF1、第一层间绝缘膜220和有机光电转换元件OPD。此外，第一穿透电极的第二部分110b可被形成为穿透保护平整化膜210和第一层间绝缘膜220。第一穿透电极的第一部分110a和第二部分110b可彼此连接。因此，可基于去除衬底100的一部分和沟槽T2的底表面的一部分以使预穿透电极110ap暴露来形成穿透衬底100的第一穿透电极110。虽然已经参考本发明构思的示例实施例具体示出并描述了本发明构思，但是本领域的普通技术人员应理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可在其中做出形式和细节上的各种变化。因此期望的是，本实施例在所有方面被认为是说明性的而非限制性的，参考所附权利要求而不是上述描述来指示本发明构思的范围。

权利要求：1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，并且所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第二转移晶体管的源极区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸的方向，所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一转移晶体管包括第一转移栅极，所述第一转移栅极被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生，所述第二转移晶体管包括第二转移栅极，所述第二转移栅极被配置为使用所述第一穿透电极、所述第一接触件和所述第二接触件来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。4.根据权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜位于所述衬底的所述第一表面上，使得所述蚀刻停止膜覆盖所述第一穿透电极、所述第一转移晶体管、所述第二转移晶体管和所述第一浮置扩散区域，其中，所述第一接触件和所述第二接触件穿透所述蚀刻停止膜。5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一穿透电极位于所述第一像素区域中。6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：复位晶体管，所述复位晶体管被配置为复位所述第一浮置扩散区域，所述复位晶体管的第一端连接到电源电压，所述复位晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及源跟随器晶体管，所述源跟随器晶体管的栅极连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述复位晶体管和所述源跟随器晶体管位于所述像素晶体管形成区域中。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述至少一个像素区域还包括与所述第一像素区域间隔开的第二像素区域，所述第二像素区域包括：第二半导体光电转换元件，所述第二半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第二半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；第二浮置扩散区域，所述第二浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第三转移晶体管，所述第三转移晶体管的第一端连接到所述第二半导体光电转换元件，所述第三转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域；以及第四转移晶体管，所述第四转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第四转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域。8.根据权利要求7所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一滤色器，所述第一滤色器位于所述第一半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间；以及第二滤色器，所述第二滤色器位于所述第二半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间。9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透电极，所述第一穿透电极被配置为将所述有机光电转换元件与所述第一浮置扩散区域电连接，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分穿透所述衬底；第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第一浮置扩散区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面的方向，所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。10.根据权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一转移晶体管包括第一转移栅极，所述第二转移晶体管包括第二转移栅极，所述第一转移栅极被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生，所述第二转移栅极被配置为使用所述第一穿透电极和所述第一接触件来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。12.根据权利要求10所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜位于所述衬底的所述第一表面上，使得所述蚀刻停止膜覆盖所述第一穿透电极、所述第一转移晶体管、所述第二转移晶体管和所述第一浮置扩散区域，其中，所述第一接触件和所述第二接触件穿透所述蚀刻停止膜。13.根据权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：位于所述衬底的所述第一表面上的第一转移栅极，所述第一转移栅极被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生；位于所述衬底的所述第一表面上的第二转移栅极，所述第二转移栅极被配置为使用所述第一穿透电极和所述第一接触件来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生，其中，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移栅极和所述第二转移栅极位于所述第一像素区域中。14.根据权利要求13所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：复位晶体管，所述复位晶体管被配置为复位所述第一浮置扩散区域，所述复位晶体管的第一端连接到电源电压，所述复位晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及源跟随器晶体管，所述源跟随器晶体管的栅极连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述复位晶体管和所述源跟随器晶体管位于所述像素晶体管形成区域中。15.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移栅极，所述第一转移栅极位于所述衬底的所述第一表面上并且被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生；连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；以及第二转移栅极，所述第二转移栅极位于所述衬底的所述第一表面上并且被配置为使用所述第一穿透电极来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移栅极和所述第二转移栅极位于所述第一像素区域中。17.根据权利要求16所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：复位晶体管，所述复位晶体管被配置为复位所述第一浮置扩散区域，所述复位晶体管的第一端连接到电源电压，所述复位晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及源跟随器晶体管，所述源跟随器晶体管的栅极连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述复位晶体管和所述源跟随器晶体管位于所述像素晶体管形成区域中。18.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述至少一个像素区域还包括与所述第一像素区域间隔开的第二像素区域，所述第二像素区域包括：第二半导体光电转换元件，所述第二半导体光电转换元件设置在所述衬底内部，使得所述第二半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；第二浮置扩散区域，所述第二浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第三转移晶体管，所述第三转移晶体管的第一端连接到所述第二半导体光电转换元件，所述第三转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域；以及第四转移晶体管，所述第四转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第四转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域。19.根据权利要求18所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一滤色器，所述第一滤色器位于所述第一半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间；以及第二滤色器，所述第二滤色器位于所述第二半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间。20.根据权利要求15所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第一浮置扩散区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面的方向，所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。

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