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申请/专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日：2022-09-02
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN115274886B
主分类号：H01L31/0224
分类号：H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开
摘要：本申请涉及一种光电探测器的制备方法及光电探测器，该方法包括：提供磷化铟衬底；在磷化铟衬底上表面依次生长出层叠的N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下欧姆接触层、铟镓砷磷过渡层、本征砷化铟镓吸收层和磷化铟窗口层；在磷化铟窗口层远离磷化铟衬底的表面渐变生长P型砷化铟镓上欧姆接触层，其中，P型砷化铟镓上欧姆接触层包括依次层叠设置的高速生长层、低速生长层和中速生长层，高速生长层的生长速率大于中速生长层的生长速率，中速生长层的生长速率大于低速生长层的生长速率。通过高速生长的方式降低InP和P‑InGaAs的反应时间，有效限制了在InP、P‑InGaAs之间形成InGaAsP材料。
主权项：1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供磷化铟衬底；在所述磷化铟衬底上表面依次生长出层叠的N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下欧姆接触层、铟镓砷磷过渡层、本征砷化铟镓吸收层和磷化铟窗口层；在所述磷化铟窗口层远离所述磷化铟衬底的表面渐变生长P型砷化铟镓上欧姆接触层，其中，所述P型砷化铟镓上欧姆接触层包括依次层叠设置的高速生长层、低速生长层和中速生长层，所述高速生长层的生长速率大于所述中速生长层的生长速率，所述中速生长层的生长速率大于所述低速生长层的生长速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全磊光电股份有限公司 光电探测器的制备方法及光电探测器
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