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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2020-08-21
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN111952238B
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762;H01L21/764;H01L27/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开
摘要：本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基底键合，得到具有空腔结构的SOI衬底。本发明利用侧墙掩模制备出含有内嵌纳米级空腔的SOI衬底，利用凸出的侧墙结构作为掩膜刻蚀形成凹槽结构，得到空腔结构，进一步，可以在顶层硅中制备得到纳米级空腔，从而可以防止在制备含有微米级、亚微米级空腔的SOI衬底时，由于空腔特征尺寸较大，顶层硅承受的应力容易超出极限，发生破损。
主权项：1.一种具有空腔结构的SOI衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供第一基底，所述第一基底包括第一衬底及形成在所述第一衬底上的第一介质层；于所述第一介质层上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层包括若干间隔排布的第一牺牲单元及显露所述第一介质层的第一开口，所述第一开口定义需要形成的空腔结构的位置；于所述第一牺牲单元的侧壁上形成侧墙结构，并于所述侧墙结构之间显露的所述第一介质层表面形成第二牺牲层，所述第二牺牲层包括若干个间隔排布的第二牺牲单元，所述第二牺牲单元填充满所述第一开口，所述侧墙结构的宽度定义所述空腔结构的宽度；对所述第一基底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成预设剥离层；去除所述侧墙结构及所述侧墙结构下方对应的所述第一介质层以形成第一凹槽；去除所述第一牺牲层及所述第二牺牲层，并基于所述第一凹槽向下刻蚀所述第一衬底以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底部高于所述预设剥离层；提供第二基底，将所述第一基底形成有所述第二凹槽的一侧与所述第二基底相键合，得到初始键合结构，所述第二凹槽构成所述空腔结构；沿所述预设剥离层剥离所述第一基底，将所述第一基底的一部分转移至所述第二基底上，在所述第二基底上形成转移衬底膜层，以得到由所述第二基底以及所述转移衬底膜层构成的具有空腔结构的SOI衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法
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