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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日：2019-08-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN110890880B
主分类号：H03K17/081
分类号：H03K17/081;H03K17/14;H03K17/51;H03K19/003;H03K19/0175
优先权：["20180910 US 16/125,921"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2020.03.17#公开
摘要：本发明题为“基于错误状况而改变晶体管的背面电极的电压的电路”。本发明提供了一种电路，该电路可以包括晶体管、传感器和开关。晶体管可以包括漏极电极、栅极电极、源极电极和背面电极。传感器可以被配置为检测晶体管中的错误状况。开关可以被配置为响应于传感器检测到晶体管中的错误状况而改变在背面电极处的电压，在背面电极处的电压的改变减小漏极电极与源极电极之间的电流。
主权项：1.一种电路，包括：晶体管，所述晶体管包括漏极电极、栅极电极、源极电极和背面电极；传感器，所述传感器被配置为检测所述晶体管中的错误状况；电容器，所述电容器包括：耦接到所述背面电极的第一端；和耦接到开关的第二端；以及所述开关，所述开关被配置为响应于所述传感器检测到所述晶体管中的所述错误状况，通过闭合并从而将所述电容器的第二端耦接到公共节点，而改变在所述背面电极处的电压，在所述背面电极处的电压的所述改变减小所述漏极电极与所述源极电极之间的电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 基于错误状况而改变晶体管的背面电极的电压的电路
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