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申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197913A
主分类号：H01L21/285
分类号：H01L21/285;C23C14/16;C23C14/35;H01L29/45
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种晶圆背面的加工方法，包括如下步骤：S10，在晶圆背面沉积Ti薄膜，形成粘附层；S20，在粘附层上共沉积Ni和V，形成第一NiV阻挡层；S30，在第一NiV阻挡层上沉积Ni薄膜，形成Ni阻挡层；S40，在Ni阻挡层上共沉积Ni和V，形成第二NiV阻挡层；S50，在第二NiV阻挡层上沉积Ag薄膜，形成导电层。本发明解决了晶圆背面金属化过程中减小应力同时减少N掺杂的技术问题。
主权项：1.一种晶圆背面的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：S10，在晶圆背面沉积Ti薄膜，形成粘附层；S20，在粘附层上共沉积Ni和V，形成第一NiV阻挡层；S30，在第一NiV阻挡层上沉积Ni薄膜，形成Ni阻挡层；S40，在Ni阻挡层上共沉积Ni和V，形成第二NiV阻挡层；S50，在第二NiV阻挡层上沉积Ag薄膜，形成导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 一种晶圆背面的加工方法及晶圆
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