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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-13
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213344A
主分类号：H01L23/485
分类号：H01L23/485;H01L23/528;H01L21/60
优先权：["20221216 US 63/433,055","20230221 US 63/447,227","20230428 US 18/141,313"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：为了实现用于背面配电网络的更高接触质量，提供了到半导体器件的背面接触、具有该背面接触的半导体单元及其制造方法，该背面接触具有正斜率和电介质侧壁衬垫。
主权项：1.一种半导体单元，包括：在衬底上的半导体器件，所述半导体器件具有至少一个端子和至少2个侧面，所述衬底位于所述半导体器件的第一侧上；后道工序BEOL区域，包括多个金属层，并且设置在所述半导体器件的与所述衬底相反的一侧上；以及背面接触，在所述衬底中并与所述半导体器件的所述端子接触；其中所述背面接触具有接触所述端子的一侧、接触背面电源轨的一侧以及从所述端子延伸到所述背面电源轨的侧壁；以及其中所述背面接触的所述侧壁具有正斜率并且衬有电介质衬垫。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 具有背面接触的半导体单元及其形成方法
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