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申请/专利权人：昆明物理研究所
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173620A
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：NiOMgOn‑Si异质结紫外探测器及其制备方法，属于紫外探测器领域，该探测器从下至上依次是阴极层、n‑Si、MgO薄膜、NiO薄膜及阳极层，阴极层为Al电极，阳极层为Au。选择电阻率为1‑3Ω·cm的N型100双面抛光硅片作为电子传输层，先对硅片进行超声清洗和氧化层去除处理，然后采用磁控溅射方法在洁净的n‑Si上沉积一层MgO薄膜作为中间介质层，再沉积一层NiO薄膜作为光吸收层，接着用掩膜溅射法制备Au电极图案作为阳极层、以及热蒸镀Al作为阴极层。本发明的器件对紫外光较为灵敏，器件性能表现优异，制备方法绿色、简单且有效。
主权项：1.NiOMgO-Si异质结紫外探测器，其特征在于从下至上依次是阴极层、n-Si、MgO薄膜、NiO薄膜及阳极层，阴极层为Al电极，阳极层为Au电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 NiO/MgO/n-Si异质结紫外探测器及其制备方法
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