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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日：2023-07-24
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175835A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221209 US 18/078,349"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本公开提供一种具有一超轻度掺杂区的存储器元件及该存储器元件的制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，包括一字元线，延伸到该半导体基底中，其中该半导体基底界定有一源极区、一漏极区以及一超轻度掺杂区，该超轻度掺杂区位在该漏极区下方，该字元线设置在该源极区与该漏极区之间，且该超轻度掺杂区设置在该字元线的一侧壁处。
主权项：1.一种存储器元件，包括：一半导体基底，具有一字元线，延伸进入该半导体基底中；其中该半导体基底界定有一源极区、一漏极区以及一超轻度掺杂区，该超轻度掺杂区位在该漏极区下方，该字元线设置在该源极区与该漏极区之间，且该超轻度掺杂区设置在该字元线的一侧壁处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有超轻度掺杂区的存储器元件
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